发明名称 高频应用薄膜线圈元件之改进
摘要 一种高频应用薄膜线圈元件之改进,其系为一新型高频应用薄膜线圈元件之延伸,其包括一线圈主体、位于线圈两侧端之电极及披覆于线圈上之保护层所构成;其特征在于:以切割形成缧旋导体被覆之线圈主体及良好绝缘特性之高分子化合物保护层,以及线圈主体两端外侧以导体形成之电极中,至少有一部份系呈方形体;以便构成之高频应用薄膜线圈元件更适合表面黏着技术之应用者。
申请公布号 TW470203 申请公布日期 2001.12.21
申请号 TW088218423 申请日期 1999.10.29
申请人 佳邦科技股份有限公司 发明人 戴源政
分类号 H01F5/00 主分类号 H01F5/00
代理机构 代理人 郑再钦 台北巿民生东路三段二十一号十楼
主权项 1.一种高频应用薄膜线圈元件之改进,其系为一新型高频应用薄膜线圈元件之延伸,其包括一线圈主体、位于线圈两侧端之电极及披覆于线圈上之保护层所构成;其特征在于:以切割形成缧旋导体被覆之线圈主体及良好绝缘特性之高分子化合物保护层,以及线圈主体两端外侧以导体形成之电极中,至少有一部份系呈方形体;以便构成之高频应用薄膜线圈元件更适合表面黏着技术之应用者。2.如申请专利范围第1项所述之高频应用薄膜线圈元件之改进,其中,线圈主体系圆柱体,电极部分则已覆于线圈主体之两端上而成为方形结构者。3.如申请专利范围第1项所述之高频应用薄膜线圈元件之改进,其中,线圈主体为圆柱体,其上所被覆之保护层为方形体,已覆于线圈主体两端上之电极则为圆筒形体者。4.如申请专利范围第1项所述之高频应用薄膜线圈元件之改进,其中,线圈主体之外所被覆之保护层与线圈主体两端所被覆之电极均为方形体者。图式简单说明:第一图为申请人已申请并核准在先之第87210500号高频应用薄膜线圈元件之制造流程说图;第二图为本创作高频应用薄膜线圈元件之改进之第一实施例立体说明图;第三图为本创作高频应用薄膜线圈元件之改进之第二实施例立体说明图;第四图为本创作高频应用薄膜线圈元件之改进之第三实施例立体说明图;
地址 台北巿仁爱路三段一三六号四楼
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