| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含一提供于一表面处之半导体本体,具有可保护免于一静电放电所导致之损坏,该半导体本体包含一相邻该表面的岛状n-型表面区域,其中包含一射极、一基极和一集极的一垂直npn-电晶体被形成,该射极是连接至一在作动时,施加一参考电压,例如为地的节点且该集极则连接至一接合表面,及一具有一低于集极和基极间基集极电晶体的崩溃电压之二极体,其特征在于该射极备有一连接至该基极的射极接点,及特征在于,在npn-电晶体(以下称为第一电晶体),及该二极体之间,一第二垂直npn-电晶体被形成,其基极被连接至第一电晶体的基极,且其该射极被传导性连接至第二电晶体的基极。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其特征在于第一电晶体的射极接点被连接至相距极一距离处之基极。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其特征在于第二电晶体的射极和基极系经由连接至射极及连接距射极一距离处的基极的接点所相互连接。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其特征在于第一和第二电晶体具有一共同基极区域和一共同集极。5.如申请专利范围第2项之半导体装置,其特征在于第一和第二电晶体具有一共同基极区域和一共同集极。6.如申请专利范围第3项之半导体装置,其特征在于第一和第二电晶体具有一共同基极区域和一共同集极。7.如申请专利范围第4项之半导体装置,其特征在于该基极和集极形成一包含相关于第二电晶体的一部分之pn接面,该部份构成具有一低崩溃电压之二极体,其渗杂浓度则相对电晶体的相邻部份在集极侧增加。8.如申请专利范围第5项之半导体装置,其特征在于该基极和集极形成一包含相关于第二电晶体的一部分之pn接面,该部份构成具有一低崩溃电压之二极体,其渗杂浓度则相对电晶体的相邻部份在集极侧增加。9.如申请专利范围第6项之半导体装置,其特征在于该基极和集极形成一包含相关于第二电晶体的一部分之pn接面,该部份构成具有一低崩溃电压之二极体,其渗杂浓度则相对电晶体的相邻部份在集极侧增加。10.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项之半导体装置,其特征在于该岛状表面区域系经由形成在n-型外延层内的一岛所形成,该岛则提供在岛和基片间界面处p-型高渗杂埋入式集极层的一半导体基片上。11.如申请专利范围第7.8或9项之半导体装置,其特征在于该岛状表面区域系经由形成在n-型外延层内的一岛所形成,该岛则提供在岛和基片间界面处p-型高渗杂埋入式集极层的一半导体基片上。12.如申请专利范围第11项之半导体装置,其特征在于至少两个渗杂n-型区域被提供在该岛内,该等区域从该表面延伸,或至少从该埋入式集极层,该等区域之一形成一集极接点区域且其他区域被沿着基极的边缘提供及结合该二极体的基极形成二极体的一部份。图式说明说明:第一图解根据本发明的半导体设备的输入;第二图是根据本发明的半导体设备的一ESD保护之剖面图;第三图则展示第二图所示一ESD保护之一电气等效电路图;第四图展示此ESD保护之一I-V特征;第五图则展示第二图的ESD保护之一改良的剖面图;第六图则是第二图所示设备的第二改良之一剖面图;第七图则是第二图所示设备之第三改良之一剖面图;第八图则是第二图所示设备之第四改良之一剖面图。 |
