| 主权项 |
1.一种矽烷化处理装置,系用以对基板表面进行矽烷化处理者,包含有:一腔室;一加热机构,设于该腔室内,系用以对基板进行加热者;一供给机构,系用以对该腔室供给含有矽烷化剂之蒸气者;及一基板固持具,系用以于该腔室内固持前述基板,并使基板与前述加热机构之间隔可做至少3阶段之调节者。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该蒸气之温度系设定成与该基板之温度略同。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该蒸气系以水平方向供给者。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该供给机构系一供给环,而以环状围绕在基板周围者。5.如申请专利范围第4项之装置,其中该供给环之环构件内周面形成有多数个供给孔。6.如申请专利范围第5项之装置,其中该内周面之上下方向并配设有供给孔,且上侧之供给孔直径比下侧之供给孔直径大。7.如申请专利范围第4项之装置,其中该供给环之环构件内周面大约一半形成有多数个供给孔,而剩下之另半内周面则形成有与供给孔对向之多数排气孔。8.如申请专利范围第1项之装置,其中该供给机构仅对基板之处理面供给前述蒸气。9.如申请专利范围第8项之装置,其中该供给机构对基板之非处理面系供给惰性气体。10.如申请专利范围第9项之装置,其中该供给机构并构造成可选择性地对基板之处理面供给惰性气体。11.如申请专利范围第8项之装置,该装置并具有:作为前述加热机构用之热板;作为前述基板固持具用之升降销;及形成于该热板上,并贯通该热板,而使该升降销可突出该热板,并于上下方向移动之孔;又,惰性气体并可通过该孔而供向基板之非处理面。12.一种矽烷化处理方法,系用以对基板表面进行矽烷化处理者,包含有以下步骤,即:将基板搬入腔室内并予以设置之,使其与设于该腔室内之加热机构保持一预定间隔;将含有矽烷剂之蒸气导入前述腔室内,使该腔室内充满含有矽烷剂之气体;藉前述加热机构使前述腔室内之温度上升;令前述基板向前述加热机构靠近,而于不致使前述基板产生矽烷化反应之温度下,使前述矽烷化气体在前述腔室内均匀扩散;及令前述基板进一步向前述加热机构靠近,而提高该基板温度,以使该基板表面发生矽烷化反应。13.如申请专利范围第12项之方法,其中前述加热机构与基板间之间隔经设定成可做至少3阶段以上之变化。14.如申请专利范围第12项之方法,其系前述腔室内减压后导入含有前述矽烷化剂之蒸气者。15.如申请专利范围第12项之方法,其系于停止对前述腔室内导入含有前述矽烷化剂之蒸气,并不对该腔室进行排气,而在该腔室呈密闭之状态下,令前述矽烷化反应发生者。16.如申请专利范围第12项之方法,其系于对前述腔室导入惰性气体之同时,并使含有矽烷化剂之蒸气由前述腔室中排除,以终止前述矽烷化反应者。17.如申请专利范围第16项之方法,其系藉导入前述惰性气体而将含有矽烷化剂之蒸气由前述腔室内排除后,再将前述基板移离前述加热机构者。图式简单说明:第一图系显示本发明第一实施形态之矽烷化处理装置的全体构造。第二图系显示第一实施形态之矽烷化处理装置的全体构造之纵面图。第三图系第一实施形态中供给环之透示图。第四图系表示第一实施形态之矽烷化处理装置的全体构造及控制系统中之图。第五图系表示第一实施形态之矽烷化处理装置之系统的全体构造图。第六图系第一实施形态之矽烷化处理装置之光阻处理系统之侧面图。第七图系用以说明第一实施形态之矽烷化处理装置之光阻处理系统之正面图。第八图A-第八图C系表示第一实施形态之矽烷化处理步骤图。第九图系表示第一实施形态之矽烷化处理流程图。第十图系表示矽烷化处理步骤变形例的流程图。第十一图系供给环之其他变形例之透视图。第十二图系供给环之另外变形例之平面图。第十三图系显示使用第十二图之供给环后的气体流动之侧面截面图的说明图。第十四图系本发明之矽烷化处理装置的其他变形例之侧面截面说明图。第十五图系本发明之矽烷化处理装置的其他变形例的侧面截面说明图。第十六图系供给环之另外的变形例之透视图。 |
