| 主权项 |
1.一种定义导线的方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一导电层;于该导电层上形成具有一第一线宽之一图案化光阻层;对该导电层进行一蚀刻步骤,该蚀刻步骤包括于一电浆产生器中进行,采用包括氧气与氯气之一混合气体作为电浆气体源,而且仅对该电浆产生器之上电极施加一能量,而形成具有一第二线宽之光阻层,藉以形成具有该第二线宽之一导线,其中该第二线宽小于该第一线宽;以及去除该具有第二线宽之光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电层包括一多晶矽层与一矽化钨层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该多晶矽层之厚度约为1000埃,该矽化钨层之厚度约为1000埃。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻步骤为等向性蚀刻。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该混合气体中氧气的气体流速约为10-60sccm,氯气的气体流速约为80-120sccm。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电浆产生器的上电极所施加之该能量约为600-1000瓦。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电浆产生器之压力约为5-10mtorr。8.一种缩小光阻线宽的方法,该方法包括:提供一导电层;于该导电层上形成一图案化光阻层;以及对该导电层进行一蚀刻步骤,该蚀刻步骤包括于一电浆产生器中进行,采用包括氧气与氯气之一混合气体作为电浆气体源,而且仅对该电浆产生器之上电极施加一能量,以缩小该光阻层的线宽。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该导电层包括一多晶矽层与一矽化钨层。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该多晶矽层之厚度约为1000埃,该矽化钨层之厚度约为1000埃。11.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该混合气体中氧气的气体流速约为10-60sccm,氯气的气体流速约为80-120sccm。12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该电浆产生器的上电极所施加之该能量约为600-1000瓦,该电浆产生器之压力约为5-10mtorr。13.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该蚀刻步骤为等向性蚀刻。14.一种定义位元线的方法,适用于一动态随机存取记忆体,该方法包括:提供一基底;于该基底上形成一介电层;于该介电层上形成一导电层;于该位元线上形成具有一第一线宽之一图案化光阻层;对该导电层进行一蚀刻步骤,该蚀刻步骤包括于一电浆产生器中进行,采用包括氧气与氯气之一混合气体作为电浆气体源,而且仅对该电浆产生器之上电极施加一能量,而形成具有一第二线宽之光阻层,藉以形成具有该第二线宽之一位元线,其中该第二线宽小于该第一线宽;以及去除该具有第二线宽之光阻层。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该导电层包括一多晶矽层与一矽化钨层。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该多晶矽层之厚度约为1000埃,该矽化钨层之厚度约为1000埃。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该蚀刻步骤为等向性蚀刻。18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该混合气体中氧气的气体流速约为10-60sccm,氯气的气体流速约为80-120sccm。19.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该电浆产生器的上电极所施加之该能量约为600-1000瓦。20.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该电浆产生器之压力约为5-10mtorr。图式简单说明:第一图A至第一图D绘示依照本发明一较佳实施例之一种导线的制造流程剖面图。 |
