电性可抹除可程式唯读记忆体的制造方法

摘要

一种电性可抹除可程式唯读记忆体的制造方法。上述记忆体具有连接源极区，且被"尖端化"的复晶矽柱，用以增强源极端的F-N穿遂效应。其制造方法系先在矽基底上形成化学气相沈积氧化层，然后再以反应性离子蚀刻技术定义源极区。之后，在源极区上形成未掺杂复晶矽层，接着对该未掺杂复晶矽层进行砷掺杂，以将杂质掺入复晶矽层中。接着，上述复晶矽层会以复晶矽回蚀刻或化学机械研磨等方式进行部份移除，以使留下的复晶矽层实质上低于沟渠顶端。之后，以湿式氧化法进行一热成长步骤，以在复晶矽层上成长出氧化层，此时复晶矽层的顶端会被尖端化，而形成我们所要之具有尖端的复晶矽柱，用以加强源极的抹除效果。

主权项

1.一种电性可抹除可程式唯读记忆体的制造方法,包括下列步骤:在一基底上依序形成一第一氧化层和一氮化矽层;将该氮化矽层和该第一氧化层图案化,以在该氮化矽层和该第一氧化层之间形成复数个沟渠暴露出预定要形成复数个源极区的该基底表面;在该些沟渠中形成复晶矽层部份填满该些沟渠,其中该复晶矽层含有掺质;进行一热氧化步骤,以在该复晶矽层上成长第二氧化层,此时该复晶矽层顶端接近该氮化矽层的部份会被尖端化,且此时该复晶矽层的部份掺质会渗入该基底而形成该些源极区;移除该氮化矽层及其下方的该第一氧化层,此时留下的该复晶矽层即成为位在该些源极区上的复数个复晶矽柱;在该基底上依序形成第一介电层和第一掺杂复晶矽层;将该第一介电层和该第一掺杂复晶矽层图案化,以暴露出欲形成复数个汲极区的该基底表面,并部份暴露出该第二氧化层;以图案化之该第一掺杂复晶矽层和该第一介电层为罩幕,将离子植入到该基底中,以形成该些汲极区;在该基底上依序形成第二介电层和图案化之第二掺杂复晶矽层,以完成该电性可抹除可程式唯读记忆体。2.一种电性可抹除可程式唯读记忆体的制造方法,具有下列步骤:在一基底中形成复数个源极区;在该基底上形成第一介电层覆盖该些源极区,在该第一介电层上形成浮置闸极,在该基底中形成复数个汲极区,在该基底上形成第二介电层,以及在该第二介电层上形成控制闸极;其改良之处包括:在以该第一介电层覆盖该些源极区之前,先在各个该些源极区上形成顶端转角已被尖端化的掺杂复晶矽柱。3.如申请专利范围第2项所述之电性可抹除可程式唯读记忆体的制造方法,其中在各个该些源极区上形成掺杂复晶矽柱的方法包括下列步骤:在该基底上依序形成一第一氧化层和一氮化矽层;将该氮化矽层和该第一氧化层图案化,以在该氮化矽层和该第一氧化层之间形成复数个沟渠暴露出预定要形成该些源极区的该基底表面;在该些沟渠中形成复晶矽层部份填满该些沟渠,其中该复晶矽层含有掺质;进行一热氧化步骤,以在该复晶矽层上成长第二氧化层,此时该复晶矽层顶端接近该氮化矽层的部份会被尖端化;以及移除该氮化矽层及其下方的该第一氧化层,此时留下的该复晶矽层即成为该些掺杂复晶矽柱。4.一种电性可抹除可程式唯读记忆体的制造方法,具有下列步骤:在一基底中形成复数个源极区;在该基底上形成第一介电层覆盖该些源极区,在该第一介电层上形成浮置闸极,在该基底中形成复数个汲极区,在该基底上形成第二介电层,以及在该第二介电层上形成控制闸极;其改良之处包括:在形成该些源极区的同时,在各个该些源极区上形成顶端转角已被尖端化的掺杂复晶矽柱。5.如申请专利范围第4项所述之电性可抹除可程式唯读记忆体的制造方法,其中在各个该些源极区上形成掺杂复晶矽柱的方法包括下列步骤:在该基底上依序形成一第一氧化层和一氮化矽层;将该氮化矽层和该第一氧化层图案化,以在该氮化矽层和该第一氧化层之间形成复数个沟渠暴露出预定要形成该些源极区的该基底表面;在该些沟渠中形成复晶矽层部份填满该些沟渠,其中该复晶矽层含有掺质;进行一热氧化步骤,以在该复晶矽层上成长第二氧化层,此时该复晶矽层的部份掺质会渗入该基底而形成该些源极区,且此时该复晶矽层顶端接近该氮化矽层的部份会被尖端化,而成为位在该些源极区上,顶端转角已被尖端化的掺杂复晶矽柱。图式简单说明:第一图绘示习知的一种电性可抹除可程式唯读记忆体的剖面示意图;第二图绘示根据本发明较佳实施例,一种电性可抹除可程式唯读记忆体的剖面示意图;以及第三图A至第三图F绘示根据本发明较佳实施例,一种电性可抹除可程式唯读记忆体制程的流程剖面图。