| 主权项 |
1.一种基材处理系统,至少包含:a)至少一处理室;b)至少一真空隔绝室,连接至该处理室;c)一梭台安置于该真空隔绝室内并可与处理室相通;及d)一基材载台,主要安置于该至少一处理室中并适用以于该处理室内单独操作。2.如申请专利范围第1项所述之处理系统,其中上述之系统包含至少两真空隔绝室,安置于至少一处理室之相对侧。3.如申请专利范围第1项所述之处理系统,更包含一机械手臂安置于至少一真空隔绝室之附近并可与该真空隔绝室相通。4.如申请专利范围第1项所述之处理系统,更包含一销板至少部份安置于该处理室中,并可以移动于第一垂直位置及第二垂直位置之间。5.如申请专利范围第4项所述之处理系统,其中上述之销板包含多数销连接至该板。6.如申请专利范围第5项所述之处理系统,其中上述之销板包含一流体通道安置于该销板内。7.如申请专利范围第1项所述之处理系统,更包含一可温控板安置于处理室中之至少一处理区的附近。8.如申请专利范围第7项所述之处理系统,其中上述之可温控板包含至少一表面具有至少0.2之放射率。9.如申请专利范围第1项所述之处理系统,更包含多数处理区于一处理室内。10.如申请专利范围第9项所述之处理系统,更包含多数间隔,分离开诸处理区。11.如申请专利范围第10项所述之处理系统,更包含至少一气体入口,连接至一或多数之处理区。12.如申请专利范围第11项所述之处理系统,其中上述之每一处理区包含一分离气体入口。13.如申请专利范围第1项所述之处理系统,更包含一轨道,具有导引滚筒及小齿轮,其被至少部份安置于该处理室内。14.如申请专利范围第13项所述之处理系统,更包含一控制器,连接至该轨道。15.如申请专利范围第13项所述之处理系统,其中上述之梭台及基材载台均包含至少一齿条安置于轨道上。16.如申请专利范围第1项所述之处理系统,更包含至少一两行室,每一行均包含至少一真空隔绝室及至少一处理室,更包含至少一机械手臂安置于至少两行室之间。17.如申请专利范围第1项所述之处理系统,其中上述之系统包含一反应处理环境及一非反应处理环境于同一处理室中。18.如申请专利范围第13项所述之处理系统,其中上述之系统更包含一或多数马达,连接至该轨道,其中该一或多数马达可逆地沿着该轨道移动基材载台。19.如申请专利范围第18项所述之处理系统,其中上述之一或多数马达包含至少一可逆马达。20.一种基材处理系统,至少包含:a)至少一处理室;b)至少一真空隔绝室,连接至该处理室;c)一梭台可动于一真空隔绝室及处理室间;及d)一可温控基材载台,至少部份安置于该处理室中。21.如申请专利范围第20项所述之处理系统,更包含一可温控销板,安置于该处理室内。22.如申请专利范围第21项所述之处理系统,其中上述之销板包含一流体通道形成于其中。23.如申请专利范围第21项所述之处理系统,其中上述之销板更包含一喷珠上表面。24.如申请专利范围第21项所述之处理系统,更包含一控制器,其控制销板之移动。25.一种基材处理系统,至少包含:a)至少一处理室;b)至少一真空隔绝室,连接至该处理室;c)一梭台可移动于一真空隔绝室与该处理室之间;及d)至少两处理区于一处理室中。26.如申请专利范围第25项所述之处理系统,更包含间隔邻近于该等处理区,诸间隔系至少部份分隔该等处理区。27.如申请专利范围第25项所述之处理系统,其中上述之至少一处理区,反应处理一安置于处理区附近之基材。28.一种基材处理设备,至少包含:a)一板;b)一或多数通道至少部份安置于该板内并具有一出口及一入口;及c)多数向上突出销,连接至该板,诸销系啮合于基材处理系统中之基材载台。29.如申请专利范围第28项所述之基材处理设备,其中上述之板具有至少一阳极化表面。30.如申请专利范围第28项所述之基材处理设备,其中上述之板具有至少一喷珠表面。31.如申请专利范围第28项所述之基材处理设备,更包含一轴连接至板。32.如申请专利范围第31项所述之基材处理设备,更包含一抬举马达,连接至该轴。33.一种基材处理系统,至少包含:a)一基材载台;b)一可温控板,安置于基材载台附近;及c)一流体通道,连接至该可温控板。34.如申请专利范围第33项所述之基材处理系统,其中上述之可温控板以冷却辐射表面,来冷却基材载台。35.如申请专利范围第33项所述之基材处理系统,其中上述之可温控板藉由于可温控板上之增加放射表面处理,而影响基材载台的温度。36.如申请专利范围第33项所述之基材处理系统,其中上述之可温控板藉由间歇地啮合基材载台,而影响基材载台的温度。37.如申请专利范围第36项所述之基材处理系统,更包含一控制器,连接至该可温控板,以控制该可温控板与基材载台之啮合。38.一种处理基材的方法,至少包含步骤:a)安置一基材于一基材处理系统之处理室中;b)将基材定位接近于处理室中之第一处理区附近,并对处理室开放;c)以第一处理,于第一处理区中处理该基材;d)定位该基材一处理室中之第二处理区附近,并对处理室开放;及e)以不同第一处理区中之第一处理的处理,来处理于第二处理区内之基材。39.如申请专利范围第38项所述之方法,其中上述之处理于第二处理区内之基材包含以不同于第一处理区中之第一处理不同处理进行。40.如申请专利范围第38项所述之方法,更包含于第一处理后,将第一处理区改变至一不同于第一处理之处理。41.如申请专利范围第38项所述之方法,更包含反转基材的方向,由经由第一处理区之第一方向成为经由第二处理区之第二方向。42.如申请专利范围第38项所述之方法,其中上述之第一处理包含一反应处理。43.一种处理基材的方法,至少包含:a)将基材传送至一安置于一基材处理系统之处理室中的载台上;b)于该处理室中,处理该基材;及c)将基材由载台传送至处理室外之空间。44.如申请专利范围第43项所述之方法,更包含于传送及处理基材时,于处理室内扣住该载台。45.如申请专利范围第43项所述之方法,更包含反转基材于该处理室内之方向。46.一种处理基材的方法,至少包含:a)安置一基材载台于一基材处统之处理室中;b)支撑一基材于基材载台上;c)于处理室内处理一基材;及d)改变于处理室内之基材载台温度。47.如申请专利范围第46项所述之方法,其中上述之改变基材载台的温度包含将基材载台与一销板啮合。48.如申请专利范围第47项所述之方法,更包含决定该基材载台的温度,并控制基材载台与销板之啮合。49.如申请专利范围第46项所述之方法,其中上述之冷却基材载台包含由安置于接近基材载台之可温控板,放射冷却温度。图式简单说明:第一图为一典型集合工具系统的俯视图。第二图为一典型直线型系统之侧视图。第三图为于第二图之直线型系统中之室的俯视图。第四图为于直线型系统中之基材载台之侧视图。第五图为于直线型系统中之基材载台之端视图。第六图为本发明之连续沉积直线型系统俯视图。第七图为示于第六图之连续沉积直线型系统之侧视图。第八图为一梭台之立体图。第九图为一室之剖面图。第十图为示出小齿轮之另一室剖面图。第十一图为示于第十图之驱动机制之另一实施例。第十二图为一基材载台之立体图。第十三图为一销板之立体图。第十四图为示于第六图中之系统之另一实施例的侧视图,其具有一可温度板。第十五图为示于第十四图之可温控板之俯视图。第十六图为可温控板之侧视图。第十七图为一系统之俯视图,该系统具有一对真空隔绝室,处理室及一机械手臂。第十八图为一系统的俯视图,该系统具有两列室,每一列具有两真空隔绝室及一处理室,具有一机械手臂安置于两列之间。第十九图-第二十三图为例示处理顺序示意图。 |
