| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,适用于一半导体基板上,且于其上并形成一内层绝缘层及与该半导体基板表面接触的接触栓,每一接触栓系藉由将一传导物质填入具有由CVD绝缘层形成的侧壁之接触洞中,包括下列步骤:利用非等向性蚀刻法于形成在该半导体基板表面之该内层绝缘层中形成一开口,以暴露出该半导体基板之表面;形成一CVD绝缘层于该晶圆表面,包括每一开口之内壁;于含氧空气中进行热处理以产生热氧化步骤,并于该开口内壁之该半导体基板表面部份形成一热氧化层;回蚀刻该开口底部之该CVD绝缘层,并同时移除在热氧化步骤中形成的热氧化层,以暴露出该半导体基板之表面;以及填入传导物质于该开口中以形成接触栓。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该CVD绝缘层具有氧的磁导性。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该CVD绝缘层系为氧化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该内层绝缘层包括一第一内层绝缘层,具有接触栓及连接线,以及第二内层绝缘层,系形成于该第一内层绝缘层之表面。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中,该内层绝缘层系由BPSG所形成。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在该热氧化步骤之后更包括形成一氮化矽层于该晶圆之表面,包括每一开口之内壁,再回蚀刻该氮化矽层和位于该开口底部之CVD绝缘层,并同时移除在热氧化步骤中形成的热氧化层,以暴露出该半导体基板之表面。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该半导体基板系为矽基板。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该接触栓系与一DRAM之堆叠式电容器的储存电极接触。9.一种半导体装置之制造方法,其具有包括不同热流率之复数绝缘层,适用于一半导体基板上,包括下列步骤:形成于复数绝缘层于该半导体基板上;形成接触洞以穿过该复数绝缘层;形成一侧壁于该每一接触洞中;以及在形成侧壁之后,进行热处理之步骤。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该等绝缘层中至少有一层是BPSG层。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该接触洞之形成系用以暴露出该半导体基板之表面,且该热处理系于一含氧空气中进行,以于该半导体基板表面部份形成一热氧化层,并与该侧壁接触。12.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该侧壁系由一CVD绝缘层所组成。图式简单说明:第一图(a)-第一图(f)系为本发明之制程步骤的流程剖面图;第二图(a)-第二图(c)系为本发明之制程步骤的流程剖面图;第三图系为利用本发明之制程所形成之电容接触栓在SEM摄影下之侧视形状;第四图系为利用参考范例之制程所形成之电容接触栓在SEM摄影下之侧视形状;第五图(a)-第五图(g)系为习知之制程步骤的流程剖面图;以及第六图(a)-第六图(e)系为习知之制程步骤的流程剖面图。 |
