| 主权项 |
1.一种半导体装置,该装置包括一具有一邻近表面的第一导电型的表面区,该半导体主体于一具有非挥发性记忆体的表面上加以提供,该非挥发性记忆体可由UV照射加以抹除,以及包括若干记忆体格,每一个的形式系具有相对源极及漏极区的场效应电晶体,也就是第二导电型,一位于源极及漏极区间的通道之上的浮动闸,以及一位于该浮动闸之上的控制闸,该装置的特征在于藉由UV照射于抹除时产生一光电压,该光电压系提供给该控制闸。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其特征在于该装置包括一光电二极管,其型式为该第二导电型的表面区,其由表面区所提供,且以电导连接至该控制闸,该光电二极管对于至少其表面区一部份之上的电磁辐射而言,系可穿过。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其特征在于该记忆体格以列及栏的系统排列,同一列中的记忆体格之控制闸系透过一字线连接至一共同的光电二极管。4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其特征在于该记忆体系具有一解码器电路,该电路包括一具有表面区的场效应电晶体,以下称为井,该井为第二导电型的井,其中提供该场效应电晶体的第一导电型之一源极和一漏极,同时该字线系连接至该漏极,且所提供的装置,用以至少局部遮蔽该井避免入射辐射。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其特征在于所提供的另一装置用于抑制该漏极、该井及该表面区之间的寄生双极电晶体作用。6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其特征在于该另一装置包括一第二导电型的重掺杂表面区,该区于邻近第一导电型的表面区内的井所提供,且以电导连接至此表面区。7.如申请专利范围第5项之半导体装置,其特征在于该另一装置包括一于该井内形成之第一导电型的表面区,且以电导连接至该井。8.如申请专利范围第6项之半导体装置,其特征在于该另一装置包括一于该井内形成之第一导电型的表面区,且以电导连接至该井。9.如申请专利范围第1项之半导体装置,其特征在于该记忆体为快闪EPROM型。10.如以上任一项申请专利范围之半导体装置,其特征在于该记忆体内嵌有CMOS或BICMOS的积体电路。图式简单说明:第一图显示根据本发明的非挥发性记忆体的一部份;第二图为第一图装置的第一横切面;第三图为第一图装置的第二横切面;第四图为第一图装置的第三横切面;以及第五图为介于浮动闸及半导体主体之间所形成的MOS结构之带状图,用于第一图装置。 |
