发明名称 表面状态监视方法及装置
摘要 表面状态监视装置包含一入射光学系统16用以将红外线辐射引入至一拟被监视基材12内,一检测光学系统30用以检测红外线辐射而该红外线辐射系在拟被监视基材内侧进行多重反射并离开拟被监视基材,一表面状态监视装置38用以基于检测光学系统所检测之红外线辐射而监视拟被监视基材之表面状态,一位置检测装置17用以光学式检测拟被监视基材之一位置,以及一控制装置28用以配合位置检测装置所检测之拟被监视基材之位置而控制红外线辐射入射至拟被监视基材的位置及角度。
申请公布号 TW469557 申请公布日期 2001.12.21
申请号 TW089124252 申请日期 2000.11.16
申请人 前进测试股份有限公司 发明人 吉田春雄;远藤礼晓
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种表面状态监视装置,包含:一入射光学系统用以将红外线辐射引入至一拟被监视基材内;一检测光学系统用以检测红外线辐射而该红外线辐射系在该拟被监视基材内侧进行多重反射并离开该拟被监视基材;一表面状态监视装置用以基于该检测光学系统所检测之红外线辐射而监视该拟被监视基材之一表面之表面状态;一位置检测装置用以光学式检测该拟被监视基材之一位置;以及一控制装置用以配合该位置检测装置所检测之拟被监视基材之位置而控制红外线辐射入射至该拟被监视基材的位置及角度。2.如申请专利范围第1项之表面状态监视装置,其中:该控制装置可控制入射光学系统以藉此控制红外线辐射入射至该拟被监视基材之位置及角度。3.如申请专利范围第1项之表面状态监视装置,其中:控制装置可控制晶圆安装件以便调整该拟被监视基材之一位置以藉此控制红外线辐射入射至该拟被监视基材之位置及角度。4.如申请专利范围第1项之表面状态监视装置,其中:该位置检测装置系设于该拟被监视基材之周缘上方,且包含一第一辐射源用以施加第一辐射至该拟被监视基材之周缘处以及一第一光学检测器其相对于该第一辐射源而设置并横越该拟被监视基材之周缘俾检测该第一辐射;以及该位置检测装置可基于该第一光学检测器所检测之辐射之一位置来检测该拟被监视基材在水平方向上之一位置。5.如申请专利范围第1项之表面状态监视装置,其中:该位置检测装置包含一第二辐射源用以施加第二辐射至该拟被监视基材之周缘以及一第二光学检测器用以检测该周缘所反射之该第二辐射;以及该位置检测装置可基于该第二光学检测器所检测之辐射之一位置来检测该拟被监视基材之一垂直位置。6.如申请专利范围第4项之表面状态监视装置,其中:该位置检测装置包含一第二辐射源用以施加第二辐射至该拟被监视基材之周缘以及一第二光学检测器用以检测该周缘所反射之第二辐射;以及该位置检测装置可基于该第二光学检测器所检测之辐射之一位置来检测该拟被监视基材之一垂直位置。7.如申请专利范围第4项之表面状态监视装置,其中:该第一辐射源及/或及二辐射源施加该第一辐射及/或第二辐射至一区域而该区域包含一位置以供红外线辐射入射至该拟被监视基材之上。8.如申请专利范围第5项之表面状态监视装置,其中:该第一辐射源及/或第二辐射源施加该第一辐射及/或第二辐射至一区域而该区域包含一位置以供红外线辐射入射至该拟被监视基材之上。9.如申请专利范围第6项之表面状态监视装置,其中:该第一辐射源及/或第二辐射源施加该第一辐射及/或第二辐射至一区域而该区域包含一位置以供红外线辐射入射至该拟被监视基材之上。10.如申请专利范围第4项之表面状态监视装置,其中:该第一辐射源及/或第二辐射源大约在红外线辐射入射至该拟被监视基材上之一位置处横越该第一辐射及/或第二辐射。11.如申请专利范围第5项之表面状态监视装置,其中:该第一辐射源及/或第二辐射源大约在红外线辐射入射至该拟被监视基材上之一位置处横越该第一辐射及/或第二辐射。12.如申请专利范围第6项之表面状态监视装置,其中:该第一辐射源及/或第二辐射源大约在红外线辐射入射至该拟被监视基材上之一位置处横越该第一辐射及/或第二辐射。13.如申请专利范围第1项之表面状态监视装置,其中:该位置检测装置以光学方式检测沿着该拟被监视基材之周缘的复数组位置中之该拟被监视基材之一位置。14.如申请专利范围第4项之表面状态监视装置,其中:该第一辐射及/或第二辐射系具有一与红外线辐射波长不同之波长的辐射。15.如申请专利范围第5项之表面状态监视装置,其中:该第一辐射及/或第二辐射系具有一与红外线辐射波长不同之波长的辐射。16.如申请专利范围第4项之表面状态监视装置,其中:该第一光学检测器及/或第二光学检测器以一维方式或二维方式检测该拟被监视基材之一位置。17.如申请专利范围第5项之表面状态监视装置,其中:该第一光学检测器及/或第二光学检测器以一维方式或二维方式检测该拟被监视基材之一位置。18.一种表面状态监视方法,用以藉着将红外线辐射引入至一拟被监视基材内之方式来监视该拟被监视基材之一表面状态,检测红外线辐射而该红外线辐射在该拟被监视基材内侧进行多重反射并离开该拟被监视基材,以及分析该检测之红外线辐射。该拟被监视基材之一位置系进行光学式检测,以及入射至该拟被监视基材上之红外线辐射之位置及角度系配合该拟被检测基材之检测位置而加以控制。19.如申请专利范围第18项之表面状态监视方法,其中:当监视器重复若干次而被拟被监视基材被转动以便监视该拟被监视基材之一表面而达实质上整个表面时,在每次监视之前,该拟被监视基材之一位置可进行光学式检测,以及红外线辐射入射至该拟被监视基材上之位置及角度可配合该拟被监视基材之检测位置加以控制。图式简单说明:第一图系本发明第一实施例之表面状态监视装置之示意图。第二图系显示依据SEMI标准之300毫米晶圆之组态视图。第三图系显示依据SEMI标准之300毫米晶圆之周缘形状视图。第四图系显示红外线辐射之入射角与其内反射角间之关系观念视图。第五图系内反射角与入射角间之关系图。第六图系内反射角与内反射次数间之关系图。第七图系内反射角与内反射角偏斜间之关系图。第八图系本发明第一实施例之变动(部分一)之表面状态监视装置之示意图。第九图系本发明第一实施例之变动(部分二)之表面状态监视装置之示意图。第十图系本发明第二实施例之表面状态监视装置之示意图。第十一图系本发明第三实施例之表面状态监视装置之示意图。第十二图A至第十二图C系解释传统表面状态监视装置及方法之示意图。
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