| 主权项 |
1.一种应有于双重金属镶嵌制程的清洁方法,包括:提供一基底,该基底上有一第一导电层;于该基底上形成一介电层;于该介电层中形成一双重金属镶嵌开口,以暴露出该第一导电层;利用过氧化氢溶液清洁该双重金属镶嵌开口,且控制过氧化氢溶液的温度以免过度侵蚀该第一导电导层;利用稀氟化氢溶液与稀氟化氢/氯化氢溶液其中之一清洁该双重金属镶嵌开口;于该基底上形成一第二导电层以填满该双重金属镶嵌开口;利用一化学机械研磨制程去除该双重金属镶嵌开口以外之该第二导电层,以完成一双重金属镶嵌结构;利用过氧化氢溶液清洁该双重金属镶嵌,且控制近氧化氢溶液的温度以免过度侵蚀该双重金属镶嵌结构;以及利用稀氟化氢溶液与稀氟化氢/氯化氢溶液其中之一清洁该双重金属镶嵌结构。2.如申请专利范围第1项所述之应用于双重金属镶嵌制程的清洁方法,其中使用过氧化氢溶液清洁该双重金属镶嵌开口时的温度范围约介于30℃~45℃之间。3.如申请专利范围第1项所述之应用于双得金属镶嵌制程的清洁方法,其中使用过氧化氢溶液清洁该双重金属镶嵌时的温度范围约介于50℃~60℃之间。4.如申请专利范围第1项所述之应用于双重金属镶嵌制程的清洁方法,其中该第一导电层的材质包括金属铜。5.如申请专利范围第1项所述之应用于双重金属镶嵌制程的清洁方法,其中在利用该化学机械研磨制程去除该双重金属镶嵌开口以外之该第二导电层的步骤中,更包括在该化学机械研磨制程之一研浆中添加苯并三唑。6.如申请专利范围第1项所述之应用于双重金属镶嵌制程的清洁方法,其中在利用该化学机械研磨制程去除该双重金属镶嵌开口以外之该第二导电层的步骤中,更包括在该化学机械研磨制程之一研浆中添加界面活性剂。7.如申请专利范围第1项所述之应用于双重金属镶嵌制程的清洁方法,其中于该介电层内形成该双重金属镶嵌开口的方法包括乾式蚀刻法。8.如申请专利范围第1项所述之应用于双重金属镶嵌制程的清洁方法,其中利用化学机械研磨制程去除双重金属镶嵌开口以及之该第二导电层之后,更包括利用百万赫兹音波来清洁该双重金属镶嵌结构的步骤。9.如申请专利范围第1项所述之应用于双重金属镶嵌制程的清洁方法,其中该第二导电层的材质包括金属铜。10.一种应用于金属内连线制程的清洁方法,包括:提供一基底,该基底上已形成有一第一导电层;于该基底上形成一介电层;于该介电层中形成一开口,以暴露出该第一导电层;利用过氧化氢溶液清洁该开口,且控制过氧化氢溶液的温度以免过度侵蚀该第一导电层;利用稀氟化氢溶液与稀氟化氢/氯化氢溶液其中之一清洁该开口;于该介电层上形成一第二导电层且填满该开口;利用一化学机构研磨制程去除该开口外之该第二导电层,并以该介电层为研磨终点,以完成一金属内连线结构;利用过氧化氢溶液清洁该金属内连线结构,且控制过氧化氢溶液的温度以免过度侵蚀该金属内连线结构;以及利用稀氟化氢溶液与稀氟化氢/氯化氢溶液其中之一清洁该金属内连线。11.如申请专利范围第10项所述之应用于金属内连线制程的清洁方法,其中使用过氧化氢溶液清洁该开口时之温度范围约介于30℃~45℃之间。12.如申请专利范围第10项所述之应用于金属内连线制程的清洁方法,其中使用过氧化氢溶液清洁该金属内连线结构时之温度范围约介于50℃~60℃之间。13.如申请专利范围第10项所述之应用于金属内连线制程的清洁方法,其中该第一导电层的材质包括金属铜。14.如申请专利范围第10项所述之应用于金属内连线制程的清洁方法,其中在利用该化学机械研磨制程去除该开口外之该第二导电层的步骤中,更包括在该化学机构研磨制程之一研浆中添加苯并三唑。15.如申请专利范围第10项所述之应用于金属内连线制程的清洁方法,其中在利用该化学机械研磨制程去除该基底上之该第二导电层的步骤中,更包括在该化学机械研磨制程之一研浆中添加界面活性剂。16.如申请专利范围第10项所述之应用于金属内连线制程的清洁方法,其中在利用化学机械研磨制程去除该开口以外之该第二导电层之后,更包括利用百万赫兹音波来清洁该金属内连线结构的步骤。17.如申请专利范围第10项所述之应用于金属内连线制程的清洁方法,其中该第二导电层的材质包括金属铜。图式简单说明:第一图A是习知双重金属镶嵌制程中,经过双重金属镶嵌开口之蚀刻与清洁后的基底剖面图;第一图B所绘示为习知双重金属镶嵌制程中,经化学机械研磨与清洁后的基底剖面图;以及第二图A至第二图F是依照本发明较佳实施例所得之双重金属镶嵌的制作流程剖面图。 |
