| 主权项 |
1.一种磁阻元件,其特征为: -具有第一强磁性层元件(1),非磁性层元件(3)以及 第二强磁性层元件(2), -非磁性层元件(3)配置在第一强磁性层元件(1)和第 二强磁性层元件(2)之间, -非磁性层元件(3)含有一种材料,其在一种温度范 围(其在制成此种磁阻元件时是需要的)中具有一 种扩散位障作用且本身不扩散至强磁性层元件(1,2 )中。2.如申请专利范围第1项之磁阻元件,其中非 磁性层元件,其中非磁性层元件(3)在20℃和450℃之 间的温度范围中具有一种扩散位障作用。3.如申 请专利范围第1或第2项之磁阻元件,其中非磁性层 元件(2)在其材料成份上是不同的。4.如申请专利 范围第1或第2项之磁阻元件,其中非磁性层元件(3) 含有:这些元素Ti,Ta,W,Mo中至少一种,这些元素之氮 化物,这些元素之矽化物,这些元素之硼化物或这 些元素中至少二种所构成之合金。5.如申请专利 范围第1项之磁阻元件,其中非磁性层元件,其中非 磁性层元件(1)和第二强磁性层元件(2)分别含有这 些元素Fe,Ti,Co,Gd,Dy中至少一种。6.如申请专利范围 第3项之磁阻元件,其中非磁性层元件,其中非磁性 层元件(1)和第二强磁性层元件(2)分别含有这些元 素Fe,Ti,Co,Gd,Dy中至少一种。7.一种记忆体单胞配置 ,其特征在于具有如申请专利范围第1至6项中任一 项之磁阻元件。图式简单说明: 第一图磁阻元件之切面图。 第二图记忆体单胞配置之俯视图。 |
