| 主权项 |
1.一种基板上之有机物的去除方法,其特征在于其 系以超临界水或亚临界水氧化去除存在于无机基 板上之有机物者。2.如申请专利范围第1项之基板 上之有机物的去除方法,其中该有机物系经图像化 而呈现预定形状之感光性树脂所形成之有机被膜 。3.如申请专利范围第1项之基板上之有机物的去 除方法,其中该超临界水系使用电阻系数10百万欧 姆以上,且于375℃以上、220大气压力以上之超临界 状态之超纯水。4.如申请专利范围第1项之基板上 之有机物的去除方法,其中该无机基板系由矽或玻 璃所形成。5.一种半导体装置之制造方法,系藉微 影成像术之进行而形成元件图像者,该微影成像术 包含有以下步骤: 一图像化标的膜形成步骤,系用以于半导体基板上 形成图像化标的膜者; 一涂布步骤,系用以于该图像化标的膜上涂布光阻 者; 一光罩曝光步骤,系经具有预定光罩图像之光罩, 使该光阻曝光,以于该光阻上形成光罩图像之潜像 者; 一显像步骤,系用以将经曝光后之该光阻显像,以 形成光阻图像者; 一蚀刻步骤,系用以蚀刻前述图像化标的膜者;及 一光阻去除步骤,系以超临界水或亚临界水氧化去 除该光阻图像者。6.如申请专利范围第5项之半导 体装置之制造方法,其系进行直接曝光步骤以取代 该光罩曝光步骤,而该直接曝光步骤则系以电子束 于该光阻上直接描绘任意之图像者。7.如申请专 利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中该超 临界水系使用电阻系数10百万欧姆以上,且于375℃ 以上、220大气压力以上之超临界状态之超纯水。8 .一种显示装置之制造方法,系包含有以下步骤: 一基板制作步骤,系用以于基板上形成预定之元件 图像者;及 一胞元制作步骤,系用以将该基板和与它成对之另 一基板相贴合以制成一胞元者; 且,该基板制作步骤及该胞元制作步骤至少有一方 包含有一去除步骤,该去除步骤系用超临界流体或 亚临界流体去除存在于基板上之有机物者。9.如 申请专利范围第8项之显示装置之制造方法,其中 于该基板制作步骤中用以去除有机物之步骤,系用 超临界水或亚临界水进行有机物之氧化去除者。 10.如申请专利范围第8项之显示装置之制造方法, 其中于该胞元制作步骤中用以去除有机物之步骤, 系一用超临界流体或亚临界流体进行有机物之溶 解去除之洗净步骤。11.一种显示装置之制造方法, 系用以制造具有于阵列基板与相对基板间形成液 晶层而构成液晶胞之显示装置者,该制造方法包含 有以下步骤: 一基板制作步骤,系用以制作该阵列基板及相对基 板者;及 一液晶胞制作步骤,系用该阵列基板及相对基板制 作液晶胞者; 且,前述基板制作步骤中并且有一微影成像术,以 形成经图像化而呈现有预定形状之薄膜者,而该微 影成像术则包含有以下步骤: 一图像化标的膜形成步骤,系用以于基板上形成图 像化标的膜者; 一涂布步骤,系用以于该图像化标的膜上涂布光阻 液者; 一光罩曝光步骤,系经具有预定光罩图像之光罩, 使该光阻曝光,以于该光阻上形成光罩图像之潜像 者; 一显像步骤,系用以将经曝光后之该光阻显影,以 形成光阻图像者; 一蚀刻步骤,系用以蚀刻前述图像化标的膜者;及 一光阻去除步骤,系以超临界水或亚临界水氧化去 除该光阻图像者。12.如申请专利范围第11项之显 示装置之制造方法,其系进行直接曝光步骤以取代 该光罩曝光步骤,而该直接曝光步骤则系以电子束 于该光阻上直接描绘任意之图像者。13.如申请专 利范围第11项之显示装置之制造方法,其中该超临 界水系使用电阻系数10百万欧姆以上,且于375℃以 上、220大气压力以上之超临界状态之超纯水。14. 如申请专利范围第11项之显示装置之制造方法,其 中该液晶胞制作步骤中并包含有一以超临界流体 或亚临界流体洗净前述阵列基板及/或相对基板之 洗净步骤。15.如申请专利范围第14项之显示装置 之制造方法,其中该液晶胞制作步骤中又具有一配 向膜形成步骤,以于前述阵列基板及/或相对基板 上形成配向膜者;又,前述洗净步骤则系于该配向 膜形成步骤之前及/或后进行。16.如申请专利范围 第15项之显示装置之制造方法,其中该液晶胞制作 步骤系具有以下步骤: 一贴合步骤,系用以将前述阵列基板与相对基板相 贴合,以组成一空胞元者;及 一液晶注入步骤,系将液晶注入至该空胞元之内部 者; 又,前述洗净步骤则系于贴合步骤或液晶注入步骤 中至少有一方之步骤之前及/或后进行。17.如申请 专利范围第14项之显示装置之制造方法,其中该液 晶胞制作步骤系具有以下步骤: 一配向膜形成步骤,系用以于前述阵列基板及/或 相对基板上形成配向膜者;及 一配向处理步骤,系对该配向膜施予配向处理者; 又,前述洗净步骤则系于该配向膜形成步骤或配向 处理步骤中至少有一方之步骤之前及/或后进行。 18.如申请专利范围第17项之显示装置之制造方法, 其中该液晶胞制作步骤系具有以下步骤: 一贴合步骤,系用以将前述阵列基板与相对基板相 贴合,以组成一空胞元者;及 一液晶注入步骤,系将液晶注入至该空胞元之内部 者; 又,前述洗净步骤则系于贴合步骤或液晶注入步骤 中至少有一方之步骤之前及/或后进行。19.如申请 专利范围第14项之显示装置之制造方法,其中该液 晶胞制作步骤系具有以下步骤: 一贴合步骤,系用以将前述阵列基板与相对基板相 贴合,以组成一空胞元者;及 一液晶注入步骤,系将液晶注入至该空胞元之内部 者; 又,前述洗净步骤则系于贴合步骤或液晶注入步骤 中至少有一方之步骤之前及/或后进行。20.一种显 示装置之制造方法,系用以制造具有于附有电极之 基板与电极间形成有载子输送层及发光层之电激 发光胞之显示装置者,该制造方法包含有以下步骤 : 一附有电极之基板之制作步骤,系用以制作附有电 极之基板者;及 一电激发光胞制作步骤,系用该附有电极之基板制 作该电激发光胞者; 且,该附有电极之基板之制作步骤中并具有一微影 成像术,以形成经图像化而呈现预定形状之薄膜者 ,而该微影成像术则包含有以下步骤: 一图像化标的膜形成步骤,系用以于基板上形成图 像化标的膜者; 一涂布步骤,系用以于该图像化标的膜上涂布光阻 液者; 一光罩曝光步骤,系经具有预定光罩图像之光罩, 使该光阻曝光,以于该光阻上形成光罩图像之潜像 者; 一显像步骤,系用以将经曝光后之该光阻显像,以 形成光阻图像者; 一蚀刻步骤,系用以蚀刻前述图像化标的膜者;及 一光阻去除步骤,系以超临界水或亚临界水氧化去 除该光阻图像者。21.如申请专利范围第20项之显 示装置之制造方法,其系进行直接曝光步骤以取代 该光罩曝光步骤,而该直接曝光步骤则系以电子束 于该光阻上直接描绘任意之图像者。22.如申请专 利范围第20项之显示装置之制造方法,其中该超临 界水系使用电阻系数10百万欧姆以上,且于375℃以 上、220大气压力以上之超临界状态之超纯水。23. 如申请专利范围第20项之显示装置之制造方法,其 中该电激发光胞制作步骤中并包含有一以超临界 流体或亚临界流体洗净前述附有电极之基板之洗 净步骤。24.如申请专利范围第23项之显示装置之 制造方法,其中该电激发光胞制作步骤系具有以下 步骤: 一载子输送层形成步骤,系用以于该附有电极之基 板上形成该载子输送层者;及 一发光层形成步骤,系用以于该载子输送层上形成 发光层者; 又,前述洗净步骤则系于该载子输送层形成步骤或 发光层形成步骤中至少有一方之步骤之前及/或后 进行。25.如申请专利范围第24项之显示装置之制 造方法,其中该电激发光胞制作步骤中并具有一贴 合步骤,以将该附有电极之基板和与其成对之相对 基板相贴合者;又,前述洗净步骤则系于该贴合步 骤之前及/或后进行。26.如申请专利范围第23项之 显示装置之制造方法,其中该电激发光胞制作步骤 系具有以下步骤: 一发光层形成步骤,系用以于该附有电极之基板上 形成该发光层者;及 一载子输送层形成步骤,系用以于该发光层上形成 载子输送层者; 又,前述洗净步骤则系于该载子输送层形成步骤或 发光层形成步骤中至少有一方之步骤之前及/或后 进行。27.如申请专利范围第26项之显示装置之制 造方法,其中该电激发光胞制作步骤中并具有一贴 合步骤,以将该附有电极之基板和与其成对之相对 基板相贴合者;又,前述洗净步骤则系于该贴合步 骤之前及/或之后进行。28.一种显示装置之制造方 法,系用以制造具有于阵列基板与相对基板间形成 液晶层而构成液晶胞之显示装置者,该制造方法包 含有以下步骤: 一基板制作步骤,系用以制作该阵列基板及相对基 板者;及 一液晶胞制作步骤,系用该阵列基板及相对基板制 作该液晶胞者; 且,该液晶胞制作步骤中并包含有一以超临界流体 或亚临界流体洗净前述阵列基板及/或相对基板之 洗净步骤。29.如申请专利范围第28项之显示装置 之制造方法,其中该液晶胞制作步骤中并具有一配 向膜形成步骤,以于前述阵列基板及/或相对基板 上形成配向膜者;又,前述洗净步骤则系于该配向 膜形成步骤之前及/或后进行。30.如申请专利范围 第29项之显示装置之制造方法,其中该液晶胞制作 步骤系具有以下步骤: 一贴合步骤,系用以将前述阵列基板与相对基板相 贴合,以组成一空胞元者;及 一液晶注入步骤,系将液晶注入至该空胞元之内部 者; 又,前述洗净步骤则系于贴合步骤或液晶注入步骤 中至少有一方之步骤之前及/或后进行。31.如申请 专利范围第28项之显示装置之制造方法,其中该液 晶胞制作步骤系具有以下步骤: 一配向膜形成步骤,系用以于前述阵列基板及/或 相对基板上形成配向膜者;及 一配向处理步骤,系对该配向膜施予配向处理者; 又,前述洗净步骤则系于该配向膜形成步骤或配向 处理步骤中至少有一方之步骤之前及/或后进行。 32.如申请专利范围第31项之显示装置之制造方法, 其中该液晶胞制作步骤系具有以下步骤: 一贴合步骤,系用以将前述阵列基板与相对基板相 贴合,以组成一空胞元者;及 一液晶注入步骤,系将液晶注入至该空胞元之内部 者; 又,前述洗净步骤则系于贴合步骤或液晶注入步骤 中至少有一方之步骤之前及/或后进行。33.如申请 专利范围第28项之显示装置之制造方法,其中该液 晶胞制作步骤系具有以下步骤: 一贴合步骤,系用以将前述阵列基板与相对基板相 贴合,以组成一空胞元者;及 一液晶注入步骤,系将液晶注入至该空胞元之内部 者; 又,前述洗净步骤则系于贴合步骤或液晶注入步骤 中至少有一方之步骤之前及/或后进行。34.如申请 专利范围第28项之显示装置之制造方法,其中该阵 列基板及相对基板系使用树脂基板者。35.如申请 专利范围第28项之显示装置之制造方法,其中该超 临界流体或亚临界流体系使用于超临界状态或亚 临界状态之二氧化碳。36.如申请专利范围第28项 之显示装置之制造方法,其中该洗净步骤系以超临 界流体或亚临界流体进行多次洗净者。37.一种显 示装置之制造方法,系用以制造具有于附有电极之 基板与电极间形成有载子输送层及发光层之电激 发光胞之显示装置者,该制造方法包含有以下步骤 : 一附有电极之基板之制作步骤,系用以制作该附有 电极之基板者;及 一电激发光胞制作步骤,系用该附有电极之基板制 作该电激发光胞者; 且,该电激发光胞制作步骤中并包含有一以超临界 流体或亚临界流体洗净前述附有电极之基板之洗 净步骤。38.如申请专利范围第37项之显示装置之 制造方法,其中该电激发光胞制作步骤系具有以下 步骤: 一载子输送层形成步骤,系用以于该附有电极之基 板上形成该载子输送层者;及 一发光层形成步骤,系用以于该载子输送层上形成 发光层者; 又,前述洗净步骤则系于该载子输送层形成步骤或 发光层形成步骤中至少有一方之步骤之前及/或后 进行。39.如申请专利范围第38项之显示装置之制 造方法,其中该电激发光胞制作步骤中并具有一贴 合步骤,以将该附有电极之基板和与其成对之相对 基板相贴合者;又,前述洗净步骤则系于该贴合步 骤之前及/或后进行。40.如申请专利范围第37项之 显示装置之制造方法,其中该电激发光胞制作步骤 系具有以下步骤: 一发光层形成步骤,系用以于该附有电极之基板上 形成该发光层者;及 一载子输送层形成步骤,系用以于该发光层上形成 载子输送层者; 又,前述洗净步骤则系于该载子输送层形成步骤或 发光层形成步骤中至少有一方之步取之前及/或后 进行。41.如申请专利范围第40项之显示装置之制 造方法,其中该电激发光胞制作步骤中并具有一贴 合步骤,以将该附有电极之基板和与其成对之相对 基板相贴合者;又,前述洗净步骤则系于该贴合步 骤之前及/或后进行。42.如申请专利范围第37项之 显示装置之制造方法,其中该载子输送层系具有一 电洞输送层或一电子输送层者。43.如申请专利范 围第37项之显示装置之制造方法,其中该附有电极 之基板及相对基板系使用树脂基板者。44.如申请 专利范围第37项之显示装置之制造方法,其中该超 临界流体或亚临界流体系使用于超临界状态或亚 临界状态之二氧化碳。45.如申请专利范围第37项 之显示装置之制造方法,其中该洗净步骤系以超临 界流体或亚临界流体进行多次洗净者。46.一种基 板上之有机物的去除装置,系用以去除存在于基板 上之有机物者,该去除装置包含有: 一反应槽,系用以收容该基板并以超临界水或亚临 界水氧化去除该基板者; 一供给构件,系用以对该反应槽供水者; 一压力控制构件,系用以将该反应槽内部加压至该 水之临界压力以上者;及 一温度控制构件,系用以将该反应槽内部加热至该 水之临界温度以上者。47.如申请专利范围第46项 之基板上之有机物的去除装置,其中该反应槽系一 具有至少220大气压力以上耐压性及375℃以上耐热 性之气密容器者。48.如申请专利范围第46项之基 板上之有机物的去除装置,其中该反应槽系可同时 收容多片该基板于其内部者。49.一种显示装置之 制造装置,该制造装置具有一洗净装置,用以洗净 基板或以成对基板相贴合而构成之胞元者,该洗净 装置包含有: 一保持构件,系用以保持该基板或胞元者; 一洗净槽,系用以收容以该保持构件保持之该基板 或胞元,并以超临界流体或亚临界流体洗净该基板 或胞元者;及 一供给构件,系用以供给该超临界流体或亚临界流 体至该洗净槽者。50.如申请专利范围49项之显示 装置之制造装置,其中该供给构件中设置有一用以 贮存该超临界流体或亚临界流体之贮存组件。图 式简单说明: 第一图系说明本发明之第1实施形态之半导体装置 之制造步骤之制造流程图。 第二图系说明本发明之第2实施形态之显示装置之 制造步骤之制造流程图。 第三图系说明该第2实施形态之液晶显示装置之制 造步骤中阵列基板制作步骤之制造流程图。 第四图系说明该液晶显示装置之制造步骤中液晶 胞制作步骤之制造流程图。 第五图系说明该第2实施形态之电激发光显示装置 之制造步骤中附有电极之基板之基板之制作步骤 之制造流程图。 第六图系说明该电激发光显示装置之制造步骤中 EL胞元之制作步骤之制造流程图。 第七图系显示本发明之第1实施例之光阻去除装置 之概略说明图。 第八图系显示于该第1实施例中,于玻璃基板上形 成闸极电极及闸极配线用之闸极金属膜图像之状 态之断面模式图。 第九图系显示于该第1实施例中,于玻璃基板上形 成闸极电极及闸极配线用之闸极金属膜图像之状 态之断面模式图。 第十图系说明于该第1实施例中第2回微影成像步 骤之断面模式图。 第十一图系显示于该第1实施例中经形成有TFT之断 面模式图。 第十二图系说明于该第1实施例中第3回微影成像 步骤之断面模式图。 第十三图系显示于该第1实施例中形成透明电极膜 图像群及保护膜于TFT上之状态之断面模式图。 第十四图系显示本发明之第2实施例之液晶显示装 置之概略断面模式图。 第十五图(a)系本发明之第3实施例之洗净装置中之 流体回路图;第十五图(b)系本发明之第3实施例之 另一洗净装置中之流体回路图。 |
