| 摘要 |
本发明系关于一种记忆体交错检测方法,尤指一种可有效地检测出弱化的记忆体之测试方法,此测试方法为改变传统的连续位址的测试型态,而为一种交错位址之测试型态,此交错测试法为包括主要步骤以及一资料检查步骤,主要步骤为提供一主要资料,以对记忆体的局部位址进行指令动作，如此，可令未被指令触发之记忆体部位遭记忆体运作所诱发之电磁波干扰而呈弱化现象,其后，在资料检查步骤时，则以互补方式对未被指令触发之记忆体部位进行检查，达到较确实地检测出弱化的记忆体。 |
| 主权项 |
1.一种记忆体交错检测方法,为一供检测出弱化记 忆体的方法,包括: 一主要步骤,为至少包括一主要定址资料,并包含 有执行的指令,以对记忆体之位址进行指令动作; 一资料检查步骤,为包括一内含资料检查指令之定 址资料,至少一部份为互补于部份主要定址资料而 进行资料检查。2.如申请专利范围第1项所述之记 忆体交错检测方法,其中在该主要步骤中,为对记 忆体之互呈错开的记忆体位址列(row)进行指令动 作者。3.如申请专利范围第1项所述之记忆体交错 检测方法,其中在该主要步骤中,为对记忆体之互 呈错开的记忆体位址行(column)进行指令动作者。4. 一种记忆体交错检测方法,为一供检测出弱化记忆 体的方法,为一具有一指令动作的测试程式,此测 试程式包括: 至少一部份的主要定址资料;及 至少一部份的次要定址资料,此次要定址资料至少 一部份为互补于该部份主要定址资料。5.如申请 专利范围第4项所述之记忆体交错检测方法,其中 该主要定址资料为具有指令动作。6.如申请专利 范围第4项所述之记忆体交错检测方法,其中该次 要定址资料为具有检查指令。7.一种记忆体交错 检测方法,为一供检测出弱化记忆体的方法,包括: 一存取步骤,为至少包括一主要定址资料,以对记 忆体之奇(偶)数位址进行指令动作; 一检查步骤,为至少包括一定址资料,并对未被存 取步骤更动之记忆体偶(奇)数位址进行资料检查 。8.如申请专利范围第7项所述之记忆体交错检测 方法,其中该位址为以列为单位者。9.如申请专利 范围第7项所述之记忆体交错检测方法,其中该位 址为以行为单位者。10.如申请专利范围第7项所述 之记忆体交错检测方法,其中该检查步骤为具有检 查指令。图式简单说明: 第一图A、第一图B:系本发明之第一实施例图。 第二图A、第二图B:系本发明之第二实施例图。 第三图A、第三图B:系本发明之第三实施例图。 第四图A、第四图B:系本发明之第四实施例图。 第五图A、第五图B:系本发明之其他实施例图。 第六图A、第六图B-第九图A、第九图B:系习知记忆 体定址方式之示意图。 |
