ELEMENT A SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE COMPORTANT DES DIODES DE DETECTION DE TEMPERATURE ET DES DIODES D'ABSORPTION D'ELECTRICITE STATIQUE ET DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR COMPORTANT CET ELEMENT

摘要

Une première section de diodes (1B) pour détecter une température de jonction et une section de diodes (1C) pour la protection contre l'électricité statique, sont incluses dans le même substrat qu'une section d'élément à semiconducteur de puissance (1A). Les nombres de diodes sont égaux dans les première et seconde sections de diodes (1B, 1C), ce qui égalise leurs impédances en haute fréquence. Un condensateur (11) pour réduire l'impédance est connecté entre les bornes d'entrée d'une section de circuit amplificateur opérationnel (4) d'une section de circuit de commande (8).