| 摘要 |
<p>본 발명은 에피 구조의 패턴을 먼저 형성한 후에 에피 구조를 결정 성장함으로써 인듐 성분이 높은 채널층의 두께 증가를 실현하여 속도 특성 및 잡음 특성을 향상시킬 수 있도록 한 고속 전자 이동 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 평면형의 기판 위의 넓은 면적에 p-HEMT 에피 구조를 먼저 결정 성장한 후 메사 구조로 식각하는 방식으로 p-HEMT 소자를 제조하는 전술한 종래 방법과는 달리, 마스크를 이용하는 식각 공정으로 반도체 기판상에 메사 패턴 또는 트랜치 패턴을 먼저 형성한 후 또는 유전체막을 이용하여 패턴을 형성한 후 에피 구조를 결정 성장한다. 따라서, 본 발명은, 메사 패턴이 없는 기판에 에피 구조를 성장하는 것에 비해 채널층의 인듐 성분을 더 높게 성장할 수 있어 채널층의 전자 속도를 더욱 향상시킬 수 있고, 채널층을 두껍게 형성할 수 있어 채널층내 2차원 전자의 밀도를 증가시킬 수 있으며, 또한 메사 패턴 외부에서 발생하는 미스피트 디스로케이션에 영향을 받아 메사 패턴 내부에서 미스피트 디스로케이션이 증가하게 되는 것을 확실히 차단할 수 있어, 종래 방법에 따라 제조되는 p-HEMT 소자에 비해 속도 특성 및 잡음 특성을 대폭 개선할 수 있다.</p> |
