SILICON BIPOLAR TRANSISTOR, CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCTION OF A SILICON BIPOLAR TRANSISTOR

摘要

Der Silizium-Bipolartransistor (100) weist eine Basis auf mit einer ersten, hoch dotierten Basisschicht (105) und einer zweiten, niedrig dotierten Basisschicht (106), die gemeinsam die Basis bilden. Der Emitter ist vollständig hoch dotiert und direkt auf der zweiten Basisschicht (106) aufgebracht.