Herstellungsverfahren eines Halbleitersubstrats

摘要

Ein Graben wird in einem Halbleitersubstrat durch eine Maske gebildet, welche sich aus einer Siliziumoxidschicht zusammensetzt, die auf den Halbleitersubstrat gebildet wird. Danach wird ein Randabschnitt eines Öffnungsabschnitts der Maske derart geätzt, dass eine Öffnungsbreite davon breiter als diejenige des Grabens wird. Danach wird eine innere Oberfläche des Grabens durch eine thermische Behandlung bei etwa 1000 DEG C in einer nicht oxidierenden oder einer nicht nitrierenden Atmosphäre unter einem niedrigen Druck geglättet. Danach wird der Graben mit einer Epitaxialschicht gefüllt. Danach wird die Epitaxialschicht poliert, wodurch ein Halbleitersubstrat zur Bildung einer Halbleiteranordnung erzielt wird.