发明名称 Verfahren zur Herstellung einer großen Anzahl von Halbleiterchip s aus einem Halbleiterwafer
摘要 Ein Verfahren zur Herstellung einer großen Anzahl von Halbleiterchips aus einem Halbleiterwafer, welcher eine große Anzahl von rechtwinkeligen Flächen bzw. Bereichen aufweist, welche durch Straßen bzw. Linien definiert sind, welche auf der vorderen Oberfläche in einer Gitterform angeordnet sind, wobei Halbleiterschaltungen in den entsprechenden rechtwinkeligen Bereichen ausgebildet werden. Dieses Verfahren umfaßt die Schritte eines Ausbildens einer Vielzahl von Rillen bzw. Nuten, welche eine vorbestimmte Tiefe aufweisen, in der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers, eines Schleifens der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers, um die Dicke des Halbleiterwafers auf einen vorbestimmten Wert zu reduzieren, und danach eines Schneidens des Halbleiterwafers entlang der Straßen, um die rechtwinkeligen Bereiche voneinander zu trennen, um Halbleiterchips zu erhalten.
申请公布号 DE10116791(A1) 申请公布日期 2001.12.20
申请号 DE2001116791 申请日期 2001.04.04
申请人 DISCO CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 TATEISHI, TOSHIYUKI
分类号 B28D5/02;H01L21/301;H01L21/78;(IPC1-7):H01L21/78 主分类号 B28D5/02
代理机构 代理人
主权项
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