Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

摘要

Es wird eine Halbleitervorrichtung mit einer Spule geschaffen. In einem HF-Schaltungsabschnitt (RP) ist ein Gebiet in einer SOI-Schicht (3), das einem Gebiet entspricht, in dem eine Spiralspule (SI) vorgesehen ist, durch mehrere Grabenisolations-Oxidfilme (11) in mehrere SOI-Gebiete (21) unterteilt. Die Grabenisolations-Oxidfilme (11) werden durch Füllen der von der Oberfläche der SOI-Schicht (3) bis an die Oberfläche eines vergrabenen Oxidfilms (2) verlaufenden Gräben mit einem Oxidfilm und durch vollständiges elektrisches Isolieren der SOI-Gebiete (21) gegeneinander ausgebildet. Die Grabenisolations-Oxidfilme (11) haben eine vorgegebene Breite und sind so geformt, daß sie im wesentlichen senkrecht zur Oberfläche des vergrabenen Oxidfilms (2) verlaufen. Die Halbleitervorrichtung kann die elektrostatisch erzeugte Verlustleistung und die elektromagnetisch erzeugte Verlustleistung verringern und verhindern, daß ihre Struktur und ihre Herstellungsschritte kompliziert werden.