| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein feldeffektgesteuertes, vertikales Halbleiterbauelement, das in einem Halbleiterkörper angeordnet ist, mit DOLLAR A - mindestens einer Innenzone des ersten Leitungstyps, DOLLAR A - mindestens einer an die Innenzone und an eine erste Oberfläche des Halbleiterkörpers angrenzende Basiszone des zweiten Leitungstyps, DOLLAR A - mindestens einer in jeder Basiszone angeordneten Sourcezone des ersten Leitungstyps, DOLLAR A - mindestens eine weitere Basiszone des zweiten Leitungstyps, die von der Basiszone durch eine Zwischenzone des ersten Leitungstyps beabstandet ist, und DOLLAR A - mindestens eine Sourcekontaktzone, die die Sourcezonen, die Basiszonen und die weiteren Basiszonen niederohmig miteinander verbindet.
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