| 摘要 |
Es werden eine Plasmabearbeitungseinrichtung und ein Plasmabearbeitungsverfahren vorgeschlagen, mit denen eine gleichmäßige Plasmabearbeitung über der gesamten Oberfläche eines Substrats erzielt werden kann, ohne damit einhergehende Beschädigungen durch Wärmeeinwirkungen. In einem Bearbeitungsraum (2), in welchem ein Halbleiterwafer (4) auf eine untere Elektrode (3) aufgelegt ist, um durch Plasma bearbeitet zu werden, wird der Halbleiterwafer (4), der auf einer Harzplatte (4a) befestigt wurde, deren Wärmeausdehnungskoeffizient größer ist als jener des Halbleiterwafers (4), am Umfangsrand durch ein Substrathaltegerät (5) auf die Oberfläche der unteren Elektrode (3) gedrückt. Bei einer derartigen Anordnung kann der Zentrumsabschnitt des Halbleiterwafers ebenfalls auf die untere Elektrode (3) über die Harzplatte (4a) gedrückt werden. Daher ist kein Spalt zwischen der Oberfläche der unteren Elektrode (3) und dem Substrat vorhanden, was dazu beiträgt, Beschädigungen durch Wärmeeinwirkung infolge einer abnorm hohen Temperatur auszuschalten und eine lokale Entladung zu verhindern.
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