| 发明名称 |
Semiconductor device with trench isolation structure and fabrication method thereof |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2326526(B) |
申请公布日期 |
2001.12.19 |
| 申请号 |
GB19980013008 |
申请日期 |
1998.06.16 |
| 申请人 |
* NEC CORPORATION |
发明人 |
TORU * MOGAMI;TAKASHI * OGURA |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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