发明名称 UN METODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR
摘要 Método de fabricar un dispositivo semiconductor, tal como, por ejemplo un transistor, en el cual se hacen conexiones eléctricas a un par de salientes sobre una masa semiconductora caracterizado porque comprende las etapas de proveer una conexión eléctrica entre las dos salientes y un conductor común y luego cortar el conductor entre las dos salientes para proveer una conexión separada para cada saliente.
申请公布号 ES251062(A1) 申请公布日期 1960.04.01
申请号 ES19620002510 申请日期 1959.07.27
申请人 N. V. PHILIPS GLOEILAMPENFABRIEKEN 发明人
分类号 H01L21/00;H01L21/304;H01L21/60;H01L23/488;H01L29/00;(IPC1-7):H01L21/304 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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