发明名称 红外辐射热测量计
摘要 本发明的三层红外辐射热测量计包括一有源矩阵层(210),一支撑层(220),接线柱(270)以及一个吸收层(230)。有源矩阵层(210)包括一具有集成电路的衬底(212),连接端子(214)和一覆盖住衬底(212)的保护层(216)。支撑层(220)包括若干桥(240),每个桥(240)具有形成于其顶部的导线。其中导线(265)的一端电连接至相应的连接端子(214)。吸收层(230)包括一吸收器(295),一被所述吸收器(295)包围的辐射热测量元件(285),一形成于该吸收器(295)顶部的钛薄膜297,以及一形成于所述钛薄膜297的顶部并由氮氧化硅制成的红外吸收器涂层299。由于钛薄膜表面不能提供足够的晶核形成点供该涂层稳定生长,其结果是该红外吸收器涂层(299)具有多个孔和粗糙上表面。每个接线柱(270)包括一由绝缘材料所包围的电导管(272)并且位于吸收层(230)和桥(240)之间,这样,螺旋形辐射热测量元件(285)通过电导管(272),导线(265)和连接端子(214)而被电连接至所述集成电路。
申请公布号 CN1327534A 申请公布日期 2001.12.19
申请号 CN98814340.2 申请日期 1998.11.30
申请人 大宇电子株式会社 发明人 龙润重
分类号 G01J5/20;H01L31/0236 主分类号 G01J5/20
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 刘兴鹏
主权项 1.一种三层红外辐射热测量计,该辐射热测量计包括:一有源矩阵层,该有源矩阵层包括一衬底和至少一对连接端子,其中该对连接端子形成于所述衬底的顶部;一提供至少一对桥的支撑层,其中每个桥包括一导线,该导线的一端电连接至相应的连接端子;一个吸收层,该吸收层包括一吸收器,一由该吸收器包围的辐射热测量元件,一位于该吸收器顶部的薄膜,以及一在该薄膜顶部形成的红外吸收器涂层,该红外吸收器涂层具有多个孔和粗糙的上表面;以及至少一对接线柱,每个接线柱位于所述吸收层和支撑层之间并且包括一由绝缘材料包围的电导管,所述吸收层的辐射热测量元件的每一端通过相应的电导管和相应的导线而电连接至相应的连接端子。
地址 韩国汉城