发明名称 Process for forming openings in a layer
摘要 <p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur gezielten lokalen Erzeugung von Öffnungen in einer Schicht (15), insbesondere an mikroelektronischen Strukturen, wobei auf ein Substrat (1, 5, 7, 9) eine erhabene Hilfsstruktur (11) aufgebracht wird, so dass sie einen Teil der Oberfläche des Substrats (1, 5, 7, 9) bedeckt, die zu öffnende Schicht (15) auf die Hilfsstruktur (11) aufgebracht wird und durch planares Ätzen Material der Schicht (15) und ggf. weiteres Material (17) entfernt wird bis die Schicht (15) an der Hilfsstruktur (11) geöffnet wird und das Hilfsmaterial (13) freigelegt wird. &lt;IMAGE&gt;</p>
申请公布号 EP1164631(A2) 申请公布日期 2001.12.19
申请号 EP20010114346 申请日期 2001.06.13
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 KROENKE, MATTHIAS;SCHINDLER, GUENTHER
分类号 H01L27/108;H01L21/02;H01L21/768;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L27/105;(IPC1-7):H01L21/768;H01L21/310;H01L21/321 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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