| 发明名称 | 电子管阴极 | ||
| 摘要 | 本发明可抑制在电子管阴极中因大电流密度化引起的截止电压的变动,抑制辉度的变化。电子管阴极在以镍作为主成分并且包含至少一种还原剂的基体上,形成以钨为主成分且厚度为80μm以下和孔隙率为20－70%的多孔性金属层,并且在其上配置以至少包含钡的碱土类金属氧化物作为主成分的电子发射材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN1327251A | 申请公布日期 | 2001.12.19 |
| 申请号 | CN01101310.9 | 申请日期 | 2001.01.11 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 大平卓也;寺本浩行;福山敬二;斋藤清 |
| 分类号 | H01J1/14;H01J1/20;H01J29/04;H01J29/48 | 主分类号 | H01J1/14 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1.一种电子管阴极，包括以镍作为主成分并且包含至少一种还原剂的基体；形成在该基体上的金属层；形成在该金属层上且以包含钡的碱土类金属氧化物作为主成分的电子发射材料层，所述金属层是多孔性金属层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||