| 摘要 |
<p>L'invention concerne un MOSFET de puissance comprenant un substrat (2) d'un premier type de conductivité. Une couche épitaxiale (1) qui est également du premier type de conductivité est déposée sur le substrat. Des première et seconde régions d'un corps (5a, 6a, 5b, 6b) sont situées dans la couche épitaxiale et définissent une région de migration entre elles. Les régions du corps ont un second type de conductivité. Des première et seconde régions sources (7, 8) du premier type de conductivité sont situées, respectivement, dans les première et seconde régions du corps. Plusieurs sillons (44, 46) sont situés au-dessous des régions du corps dans la région de migration de la couche épitaxiale. Les sillons, s'étendant en direction du substrat à partir des première et seconde régions du corps, sont remplis au moyen d'un matériau en couches épitaxiales, tel que du silicium, comprenant un dopant du second type de conductivité. Le dopant est diffusé à partir des sillons dans des parties de la couche épitaxiale qui est adjacente aux sillons, de manière à former des régions semi-conductrices (40, 42) du second type de conductivité, sous les régions de corps.</p> |
