| 摘要 |
<p>Es wird eine ESD-Schutzvorrichtung vorgeschlagen, die einen vertikalen als Diode geschalteten Bipolar-Transistor umfaßt, der ein zusätzliches ausgelagertes Basisgebiet aufweist. Die erfindungsgemäße Anordnung weist bei platzsparendem Aufbau eine gegenüber bekannten Anordnungen verringerte Differenz zwischen Haltespannung und Durchbruchspannung auf.</p> |
