发明名称 APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO PLASMA RADICALS
摘要 이온 및 라디칼을 포함하는 플라즈마를 발생시키기에 적합한 제 1 반응 챔버와, 제 1 반응 챔버에 연결되어 제 2 챔버 내의 장소에 기판을 저장하기에 적합한 제 2 챔버를 포함하는, 기판을 플라즈마 라디칼에 노출시키기 위한 장치이다. 제 2 챔버는, 제 1 챔버로부터 제 2 챔버로 이동되는 플라즈마가 주어진 플라즈마 방전 속도에서의 이온 수명과 동등한 거리만큼 기판 위치로부터 떨어지게 되도록 제 1 챔버에 연결된다. 이러한 방식으로, 라디칼은 기판에 도달하여 기판 또는 기판 위의 물질과 반응하면서, 최초에 플라즈마 내에 존재하였던 이온을 중성 전하 상태로 변환시킨다.
申请公布号 KR20010110795(A) 申请公布日期 2001.12.13
申请号 KR20017013512 申请日期 2001.10.22
申请人 发明人
分类号 H05H1/46;C23C8/36;C23C14/48;C23C16/452;H01J37/32;H01L21/02;H01L21/26;H01L21/31;H01L21/318 主分类号 H05H1/46
代理机构 代理人
主权项
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