摘要 |
Eine Speicherzellenanordnung umfaßt Speicherzellen, die jeweils einen Grabenkondensator (2), der in einem Graben (4) angeordnet ist und einem vertikalen Transistor (3), der als Auswahltransistor dient, umfassen. Die Grabenkondensatoren benachbarter Speicherzellen werden neben einer Bitleitung (15) angeordnet und über ihren Auswahltransistor an die Bitleitung (15) angeschlossen. Dabei werden benachbarte Grabenkondensatoren, die an eine Bitleitung (15) angeschlossen sind, wechselseitig auf den beiden Seiten der Bitleitung (15) angeordnet.
|