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发明名称 METHOD FOR EVALUATING CONCENTRATION OF METALLIC IMPURITIES IN SILICON WAFER
摘要
申请公布号 KR20010110697(A) 申请公布日期 2001.12.13
申请号 KR1020017012274 申请日期 2001.09.26
申请人 发明人
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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