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In einer Vakuumkammer wird SiO auf einem Glassubstrat (1) abgeschieden, um eine erste Schicht (2) als Schutzfilm zu bilden, wird Al auf der ersten Schicht (2) abgeschieden, um eine zweite Schicht (3) als Aluminium-Reflexionsfilm zu bilden, wird MgF¶2¶ auf der zweiten Schicht (3) abgeschieden, um eine dritte Schicht (4) als transperenten Schutzfilm zu bilden, und wird CeO¶2¶ auf der Dritten Schicht (4) abgeschieden, um eine vierte Schicht (5) als transparenter Schutzfilm zu bilden. Dann wird, während in der Kammer O¶2¶-Gas eingeleitet wird, SiO¶2¶ auf der vierten Schicht (5) abgeschieden, um eine fünfte Schicht (6) als transparenter Schutzfilm auszubilden.
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