| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Speicherzelle (1), die einen Graben (3) aufweist, in dem ein Grabenkondensator (32) gebildet ist. Weiterhin ist in dem Graben (3) ein vertikaler Transistor oberhalb des Grabenkondensators (32) gebildet. Die Dotiergebiete (15, 16) des vertikalen Transistors sind im Substrat (2) angeordnet. Zum Anschluß der Gate-Elektrode (12) des vertikalen Transistors an eine Wortleitung ist eine dielektrische Schicht (17) mit einer Innenöffnung im Graben (3) oberhalb der Gate-Elektrode (12) angeordnet. Die dielektrische Schicht (17) ist als seitliche Randstege (18) ausgebildet, die über den Querschnitt des Grabens (3) hinausragen und somit einem Teil des Substrates (2) bedecken. Die seitlichen Randstege (18) ermöglichen eine selbstjustierte Bildung eines Isolationsgrabens (21).
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