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<p>본 발명은 소자 분리 산화막을 형성한 후 활성 영역을 식각하여 게이트 전극을 형성하므로 누설 전류, 지오아이(Gate Oxide Integrality:GOI) 손상 및 트랜지스터의 역 협소 폭 효과를 방지하기 위한 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 트랜지스터 및 그의 제조 방법은 소자 분리 산화막을 형성하고 활성 영역을 식각하여 게이트 전극을 형성하므로, 로코스(LOCOS) 공정 또는 에스티아이(Shallow Trench Isolation:STI) 공정 시 소오스/드레인의 누설 전류 발생을 방지하여 DRAM의 리프레시(Refresh) 특성을 향상시키고 게이트 산화막의 손상을 방지하며 역 협소 폭 효과, 접합 L/C 및 GOI을 감소시켜 트랜지스터의 특성을 향상시키므로 소자의 특성 및 수율을 향상시키는 특징이 있다.</p> |
