| 发明名称 | 有机膜的腐蚀方法、半导体器件制造方法及图形形成方法 | ||
| 摘要 | 一种有机膜的腐蚀方法,使用以含碳、氢以及氮的化合物为主要成分的腐蚀气体所生成的等离子对有机膜进行腐蚀。通过该腐蚀方法使有机膜上的凹部截面成为垂直形状或正锥形形状。 | ||
| 申请公布号 | CN1326219A | 申请公布日期 | 2001.12.12 |
| 申请号 | CN01104348.2 | 申请日期 | 2001.02.28 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 中川秀夫 |
| 分类号 | H01L21/311;H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/311 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 黄永奎 |
| 主权项 | 1.一种有机膜的腐蚀方法，其特征在于：使用以含碳、氢以及氮的化合物为主要成分的腐蚀气体所生成的等离子，对作为层间绝缘膜使用的有机膜进行腐蚀。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||