发明名称 Wet chamber for fabricating semiconductor device and etching method using the wet chamber
摘要 <p>본 발명은 습식챔버내에서의 웨이퍼의 처리의 균일성의 향상을 위하여 챔버본체내에서 웨이퍼의 회전이 가능하도록 하는 구성을 갖는 반도체장치 제조용 습식챔버 및 이를 이용한 웨이퍼의 식각방법에 관한 것이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 습식챔버는, 액체상의 물질을 수용할 수 있는 챔버본체(11)를 구비하는 습식챔버내에 웨이퍼(12)와 접촉하여 웨이퍼(12)를 회전시킬 수 있는 종동축(22)을 취부시켜 웨이퍼(12)를 회전시킬 수 있도록 구성한 점에 특징이 있다. 따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼(12)가 상기 측부가이드(13) 및 하부가이드(14)에 의하여 고정될 때 접촉하는 부위에서 나타날 수 있는 식각차이 문제점과 파티클잔류 문제점 등을 원인적으로 제거하여 균일한 식각과 세정 및 건조가 가능하도록 하여 반도체장치의 수율을 획기적으로 향상시키고, 반도체장치의 신뢰도를 높일 수 있는 효과가 있다.</p>
申请公布号 KR100316743(B1) 申请公布日期 2001.12.12
申请号 KR19990020262 申请日期 1999.06.02
申请人 null, null 发明人 정재형
分类号 H01L21/3063 主分类号 H01L21/3063
代理机构 代理人
主权项
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