发明名称 LOW VOLTAGE ACTIVE BODY SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>본 발명에 의하면 활성 FET 영역을 포함하는 활성 FET 몸체 소자가 제공되는데, 활성 FET 영역은 게이트, 몸체 영역, 게이트와 활성 FET 영역 내에 위치한 몸체 영역 사이의 전기적 접속부를 구비하며, 소자를 제조하는 다양한 방법도 아울러 제공된다. 전기적 접속부는 실질적으로 FET의 전체 폭에 걸쳐 확장된다.</p>
申请公布号 KR100315839(B1) 申请公布日期 2001.12.12
申请号 KR19990028142 申请日期 1999.07.13
申请人 null, null 发明人 애세데라기페리보르츠;버틴클라우드엘;갬비노제프리피;슈루이스루-첸;맨델맨잭알랜
分类号 H01L27/108;H01L21/336;H01L21/8242;H01L21/84;H01L23/52;H01L27/12;H01L29/78;H01L29/786 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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