发明名称 清洗晶片用的盛器
摘要 可盛纳和保持许多半导体晶片的盛器,在将此盛器与晶片浸没于液体介质中而在此液体介质中产生有超声波的清洗晶片过程中,能允许各晶片的表面最大限度地暴露于超声波下。此盛器包括:相分开的两侧壁;以及若干与此两侧壁相互连接的水平杆,这些水平杆在一起定位成用来将晶片支承成大致竖立、面对面地相互大致平行,各个杆在此两侧壁间延伸并与侧壁相互连接,这些杆相互间隔开定位成能使晶片暴露向上述液体介质以及所述杆之间的超声波。侧壁所选尺寸使其最大高度约小于晶片直径之半。此盛器适合于将晶片保持成,可使超声波只受到此盛器结构的最小阻抗影响,一般不受阻地通过液体介质而到达晶片表面的所有部分,由此有助于有效地清洗。在两侧壁区之间水平地延伸一稳定用杆,用来限制晶片相对于盛器的运动,使晶片稳定。
申请公布号 CN1326588A 申请公布日期 2001.12.12
申请号 CN99812346.3 申请日期 1999.10.15
申请人 MEMC电子材料有限公司 发明人 岩本义夫;黑川博幸
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.可盛纳和保持许多半导体晶片的盛器,在将此盛器与晶片浸没于液体介质中而在此液体介质中产生有超声波的清洗晶片过程中,能允许各晶片的表面最大限度地暴露于超声波下,此盛器适合保持尺寸由晶片直径所确定的晶片,此盛器包括:相分开的侧壁;以及若干水平杆,这些水平杆在一起定位成用来将晶片支承成大致竖立、面对面地相互大致平行,各个杆在此两侧壁间延伸并与侧壁相互连接,这些杆相互间隔开定位成能使晶片暴露向上述液体介质以及所述杆之间的超声波,上述两侧壁的取向可使此盛器适合将晶片保持成与侧壁大致平行,这些侧壁的尺寸选定为令其最大高度约小于晶片直径之半,以使载有所述晶片的盛器浸没于液体介质中时,各晶片的上半部暴露于液体介质中,从而这种盛器可用来将晶片保持成,使超声波只受到此盛器结构的最小阻抗影响,一般不受阻地通过液体介质而到达晶片表面的所有部分,由此有助于有效地清洗。
地址 美国密苏里