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<p>반도체장치의 텅스텐 게이트전극 제조방법에 대해 개시하고 있다. 본 발명은 기판 상부에 게이트산화막과 도프트 폴리실리콘막과 배리어 메탈막 및 텅스텐막을 순차적으로 적층하고, 적층된 텅스텐막과 배리어 메탈막 및 도프트 폴리실리콘막을 패터닝하여 게이트전극을 형성하고, NH를 과량으로 주입한 NO 또는 NO의 혼합 가스분위기에서 고온 열산화 공정을 실시하여 게이트전극에서 폴리실리콘막만 선택적으로 산화시키면서 동시에 게이트산화막 사이의 기판과 도프트 폴리실리콘막의 계면을 질화처리함으로써, 텅스텐 게이트전극의 선택적 산화와 게이트산화막의 상/하 계면에 질화처리 공정을 동시에 진행하여 제조 공정을 단순화한다.</p> |
