POTENTIAL DETECT CIRCUIT FOR DETECTING WHETHER OUTPUT POTENTIAL OF POTENTIAL GENERATION CIRCUIT HAS ARRIVED AT TARGET POTENTIAL OR NOT
摘要
<p>플래시 메모리에 포함된 전압 발생 회로(8.1)의 출력 단자 8.1a 및 접지 전위 GND 라인간에 저항 소자(22) 및 N 채널 MOS 트랜지스터(26)를 직렬 접속한다. MOS 트랜지스터(26)에 일정한 전류 I가 흐르며, N 채널 MOS 트랜지스터(26)의 드레인 전위 VO1 및 기준 전위 Vr2를 비교기(27)에 의해 비교한다. 전압 변환 효율 △VO1/△VP1이 1로 되어, 종래 보다도 전압 검출 정도가 향상된다.</p>
