发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要 <p>본 발명은 메인 워드선의 선폭을 가능한 한 굵게 하여, 서브 워드 디코더 회로의 레이아웃을 효율적으로 실행하는 데 있다. 본 발명에 따르면, 행 방향으로 배선되는 메인 워드선은 직선적인 패턴을 가지며, 서브 워드 디코더 회로의 형성 영역에서 그 메인 워드선의 패턴은 행 방향을 따라서 분기하여 복수 개의 라인으로 분리되고 그 후 다시 결합하는 형상을 갖는다. 그리고, 일부 분리된 부분에서 메인 워드선과는 전위가 서로 상이한 노드를 구성하는 도전층의 비교적 작은 섬 형상 패턴(island-shaped pattern)이 배치된다. 메인 워드선은 종래예와 동일하게 제1 금속 도전층으로 구성된다. 즉, 메인 워드선을 구성하는 도전층 패턴의 내부에 그것과는 전기적으로 서로 상이한 작은 섬 형상 패턴이, 예컨대 강 속에 형성되는 섬과 같이 형성된다. 이러한 메인 워드선의 패턴은 메인 워드선의 직선성을 손상시킴이 없이, 그 배선 방향에 위치하는 다른 작은 패턴의 존재를 허용할 수 있다.</p>
申请公布号 KR100316619(B1) 申请公布日期 2001.12.12
申请号 KR19990012246 申请日期 1999.04.08
申请人 null, null 发明人 이케다도시미;가와바타구니노리;다키타마사토
分类号 H01L27/10;G11C7/18;G11C8/14;H01L21/8242;H01L27/108 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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