发明名称 FERROELECTRIC MEMORY DEVICE GENERATING REFERENCE VOLTAGE USING REFERENCE CELL AND SENSE AMPLIFIER
摘要
申请公布号 KR20010109625(A) 申请公布日期 2001.12.12
申请号 KR20000029697 申请日期 2000.05.31
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 PARK, JE HUN
分类号 (IPC1-7):H01L27/105 主分类号 (IPC1-7):H01L27/105
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利