形成半导体器件金属布线的方法

摘要

一种形成半导体器件金属布线的方法，所说金属布线方法包括双层铝合金淀积，即在低温下淀积厚度为整个布线厚度的一部分的第一铝合金层，它以某种方固定在接触层，和在高温下淀积厚度为所淀积布线厚度的其余部分的第二铝合金层，第一铝合金层的淀积是在２５—１５０℃的温度和０．５—４．０mTorr压力下用５—１０ＫＷ的电功率进行时。第二铝合金层的淀积是在２００—４００℃的温度和不高于４．０mTorr的压力下用不超过１０ＫＷ的电功率来进行的。在淀积第二铝合金之前，在２００—４００℃温度下热处理第一铝合金层６０—１８０秒。根据该方法，能改善台阶覆盖，从而改善布线的可靠性。

主权项

1.形成半导体器件金属布线的方法，包括：在导电层上淀积绝缘层，然后形成穿过绝缘层的接触孔；在形成接触孔后所得结构上形成薄接触层；还进一步包括以下步骤：在25-150℃温度下在接触层上形成第一铝合金层；热处理第一铝合金层；以及在200-400℃温度下在第一铝合金层上淀积第二铝合金层。