机械调制式波分复用发送和接收模块

摘要

一种制造法布里－珀罗腔光机械调制器,以及由此组成的波分复用发送和接收模块的技术。法布里－珀罗腔由多晶硅三叠层结构刻蚀而成。调制器的柔性薄膜由上层多晶硅形成,中层多晶硅转变成多孔多晶硅后腐蚀去除,从而使上层多晶硅悬空。悬空的上层多晶硅最后释放由反应离子腐蚀实现。多晶硅叠层结构下的硅片内集成有圆锥形状的光纤插入孔。插入孔由多孔单晶硅技术形成,光纤一旦插入即能自动对准安置于腔体上的光电探测器。

主权项

1.一种制造法布里-珀罗腔光机械调制器的方法，其特征是包括如下制造步骤：(A)在轻掺杂的p型单晶硅衬底内形成由n型扩散层围绕的圆锥形状的p型区；(B)在单晶硅衬底上形成局部掺杂的多晶硅三叠层结构，使其中层包含有一块面积较大的重掺杂区，其中散布若干面积较小的未掺杂区，下层含有若干面积较小的重掺杂区，中层重掺杂区与下层重掺杂区有部分面积重叠，下层重掺杂区与圆锥形状的p型区有部分面积重叠，从上层未掺杂多晶硅层分割出尚未从底部释放的多晶硅膜和多晶硅梁；(C)在氢氟酸溶液中进行阳极氧化，将重掺杂的多晶硅转变成多孔多晶硅而保持未掺杂多晶硅，包括散布于重掺杂区中小面积未掺杂区内的未掺杂多晶硅不变；(D)在氢氟酸溶液中进行阳极氧化将圆锥形状的p型单晶硅转变成多孔单晶硅；(E)从单晶硅衬底的背面减薄以露出形成的多孔单晶硅；(F)将有通孔的玻璃片与单晶硅衬底粘结使其通孔与露出的多孔单晶硅图形对准；(G)在稀释的碱溶液中腐蚀多孔多晶硅和多孔单晶硅，部分释放多晶硅膜和多晶硅梁，并形成圆锥形状的光纤插入孔洞；(H)用干法腐蚀去除原来散布于中层多晶硅重掺杂区中的小面积未掺杂多晶硅，以全部释放多晶硅膜和多晶硅梁。