| 主权项 |
1.一种自动对准形成电容器的方法,系在一基底上进行,该方法包括下列步骤:形成一第一绝缘层于该基底上;定义并去除部份该第一绝缘层,以暴露出部份该基底;形成一复晶矽层于暴露出来之该基底上,其中该复晶矽顶部低于该第一绝缘层之顶部;形成一第一间隙壁于该复晶矽层上方之该第一绝缘层之侧壁;依序形成并定义一位元线与一盖绝缘层于该第一绝缘层上,并暴露出部份该复晶矽层;形成并定义一第二绝缘层于该盖绝缘层与该第一绝缘层上,以形成一电容器图案暴露出该复晶矽层;形成并回蚀一第三绝缘层,以在该电容器图案之侧壁形成一第二间隙壁;以及形成一导电层于该介层洞中,用以作为一下电极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该下电极之步骤更进一步的包括下列步骤:形成一导电层覆盖在包括该电容器图案的该第二绝缘层上;形成一第四绝缘层于该导电层上;去除第二导电层上的该第四绝缘层与该导电层;以及去除该第四绝缘层,以使剩余之该导电层作为该下电极之用。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中去除第二绝缘层上的该第四绝缘层与该导电层之步骤系以化学机械研磨法进行。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一间隙壁为氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一间隙壁为氧化物。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二绝缘层之材质为含矽多之氧化物。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二绝缘层之材质为氮化矽。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二绝缘层之厚度约为1000~3000。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第三绝缘层之材质为氮化矽。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第三绝缘层之材质为氧化物。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第三绝缘层的厚度约为500~ 1000。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该复晶矽层之顶部较该第一绝缘层之顶部低约2000~4000。13.一种自动对准制作电容器的方法,该方法包括下列步骤:提供一基底;形成一第一绝缘层于该基底上;定义并去除部份该第一绝缘层,以暴露出部份该基底;形成一复晶矽层于暴露出来之该基底上,其中该复晶矽层之顶部低于该第一绝缘层之顶部;于该复晶矽层上方之该第一绝缘层的侧壁形成一第一间隙壁;形成一第一导电层与一第二绝缘层于该第一绝缘层与该复晶矽层上;进行罩幕定义,去除部分之该第一导电层与该第二绝缘层,以形成一位元线,并暴露出部分该复晶矽层;形成一第三绝缘层于该位元线与暴露出该复晶矽层上;形成一光阻罩幕于该第三绝缘层上,并将该光阻罩幕上之图案转移到该第三绝缘层之上表面;透过该光阻罩幕去除部份该第三绝缘层,以在该第三绝缘层中形成一电容器图案;在该电容器图案之侧壁形成一第二间隙壁;形成一第二导电层于包括该电容器图案之该第三绝缘层上;形成一第四绝缘层于该第二导电层上;去除该第三绝缘层上之该第四绝缘层与该第二导电层;以及去除残留于该电容器图案中之该第四绝缘层。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中去除第三绝缘层上的该第四绝缘层与该第二导电层之步骤系以化学机械研磨法进行。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一间隙壁为氮化矽。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一间隙壁为氧化物。17.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二绝缘层之材质为含矽多之氧化物。18.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二绝缘层之材质为氮化矽。19.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二绝缘层之厚度约为1000~ 3000。20.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二间隙壁之材质为氮化矽。21.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二间隙壁之材质为氧化物。22.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二间隙壁的厚度约为500~ 1000。23.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该复晶矽之顶部较该第一绝缘层之顶部低约2000~4000。图式简单说明:第一图是动态随机存取记忆体元件的记单元之电路示意图;第二图A至第二图K绘示依照本发明一较佳实施例的一种电容器的下电极之制造流程图。 |
