| 主权项 |
1.一种局部矽氧化(LOCOS)隔离物的制造方法,包括下列步骤;(a)在矽基底之主动区域上形成一遮蔽层;(b)利用该遮蔽层当作蚀刻罩幕,施以非等向性蚀刻部分该矽基底,以形成一凹陷部;(c)全面性沈积一氮化物薄层;(d)在上述氮化物薄层上方沈积一复晶矽层;(e)回蚀刻上述复晶矽层与该氮化物薄层,以露出上述遮蔽层的表面,而形成一跨于上述凹陷部以及上述遮蔽层的侧壁物;(f)施以热氧化法用以在该遮蔽层旁侧与该凹陷部上方成长一局部矽氧化隔离物。2.如申请专利范围第1项所述之局部矽氧化隔离物的制造方法,其中该遮蔽层系一氮化矽层。3.如申请专利范围第2项所述之局部矽氧化隔离物的制造方法,其中该氮化矽层的厚度介于1200-1800埃之间。4.如申请专利范围第1项所述之局部矽氧化隔离物的制造方法,其中该氮化物薄层系氮化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之局部矽氧化隔离物的制造方法,其中该氮化物薄层系氮氧矽化物层。6.如申请专利范围第1项所述之局部矽氧化隔离物的制造方法,其中步骤(c)该氮化物薄层的厚度介于50-100埃之间。7.如申请专利范围第1项所述之局部矽氧化隔离物的制造方法,其中步骤(b)该凹陷部的深度介于300-700埃之间。8.如申请专利范围第1项所述之局部矽氧化隔离物的制造方法,其中步骤(d)该复晶矽层的厚度介于600-800埃之间。图式简单说明:第一图A至第一图E习知制造局部矽氧化卫离物的流程剖面图。第二图A至第二图G为本发明较佳实施例制造局部矽氧化隔离物的流程剖面图。 |
