| 主权项 |
1.一种半导体基板的旋涂设备,包含: (a)一旋转台,可在相反方向旋转; (b)一喷嘴,将涂覆材料滴在平放于该旋转台上的半 导体基板上; (c)一电极,具有环形横剖面并被配置在该旋转台周 围;与 (d)一电源,将电压施加至该电极,该电压所具有的 电极性与该涂覆材料的电极性相反。2.如申请专 利范围第1项所述之设备,其中该电源将电压施加 至该电极,该电压随着时间周期性变化其强度。3. 如申请专利范围第1项所述之设备,其中该电极可 以对于该旋转台的旋转轴线旋转。4.如申请专利 范围第1项所述之设备,其中该电极可以对于该旋 转台而上升与下降。5.如申请专利范围第1至4项任 一项所述之设备,尚包含一第二电极,其嵌进该旋 转台中。6.如申请专利范围第1至4项任一项所述之 设备,其中该电源施加一电压至该电极,使得由该 电极所产生之电场所施加至该涂覆材料的力约等 于该涂覆材料所受的重力。7.一种半导体基板的 旋涂设备,包含: (a)一旋转台,可在相反方向旋转; (b)一喷嘴,将涂覆材料滴在平放于该旋转台上的半 导体基板上; (c)复数个圆周方向分割电极,其彼此合作从而形成 具有环形横剖面并被配置在该旋转台周围的电极; 与 (d)一电源,施加电压至该圆周方向分割电极,该电 压所具有的电极性与该涂覆材料的电极性相反。8 .如申请专利范围第7项所述之设备,其中该电源系 由复数个第二电源所构成,其各与各个该圆周方向 分割电极结合,各个该第二电源施加一独立控制的 电压至所结合的圆周方向分割电极。9.如申请专 利范围第8项所述之设备,其中各个该第二电源施 加一电压至所结合的圆周方向分割电极,该电压随 着时间而周期性变化其强度。10.如申请专利范围 第9项所述之设备,其中该第二电源施加一电压至 彼此相对之该圆周方向分割电极,该电压随着时间 而周期性变化其强度。11.如申请专利范围第7至10 项任一项所述之设备,其中该电极可以对于该旋转 台的旋转轴线而旋转。12.如申请专利范围第7至10 项任一项所述之设备,其中该电极可以对于该旋转 台而上升与下降。13.如申请专利范围第7至10项任 一项所述之设备,尚包含一第二电极,其嵌进该旋 转台中。14.如申请专利范围第7至10项任一项所述 之设备,其中该电源施加一电压至该电极,使得由 该电极所产生之电场所施加至该涂覆材料的力约 等于该涂覆材料所受的重力。15.一种半导体基板 的旋涂设备,包含: (a)一旋转台,可在相反方向旋转; (b)一喷嘴,将涂覆材料滴在平放于该旋转台上的半 导体基板上; (c)复数个垂直分割电极,其彼此合作从而形成具有 环形横剖面并被配置在该旋转台周围的电极;与 (d)一电源,施加一电压至该垂直分割电极,该电压 所具有的电极性与该涂覆材料的电极性相反。16. 如申请专利范围第15项所述之设备,其中该电源系 由复数个第二电源所构成,其各与各个该垂直分割 电极结合,各个该第二电源施加一独立控制的电压 至所结合的垂直分割电极。17.如申请专利范围第 16项所述之设备,其中各个该第二电源施加一电压 至所结合的垂直分割电极,该电压随着时间而周期 性变化其强度。18.如申请专利范围第15至17项任一 项所述之设备,其中该电极可以对于该旋转台的旋 转轴线而旋转。19.如申请专利范围第15至17项任一 项所述之设备,其中该电极可以对于该旋转台而上 升与下降。20.如申请专利范围第15至17项任一项所 述之设备,尚包含一第二电极,其嵌进该旋转台中 。21.如申请专利范围第15至17项任一项所述之设备 ,其中该电源施加一电压至该电极,使得由该电极 所产生之电场所施加至该涂覆材料的力约等于该 涂覆材料所受的重力。22.一种半导体基板的旋涂 方法,包含以下各步骤: (a)将涂覆材料滴在半导体基板上; (b)对于该半导体基板的中心部旋转该半导体基板; 与 (c)产生一电场包围该半导体基板,该电场所具有的 电极性与该涂覆材料的电极性相反。23.如申请专 利范围第22项所述之方法,尚包含在该半导体基板 的圆周方向上变化该电场强度的步骤。24.如申请 专利范围第23项所述之方法,其中该电场的强度在 该半导体基板之圆周方向上相对的区域变化。25. 如申请专利范围第22.23.或24项所述之方法,尚包含 垂直地变化该半导体基板之该电场强度的步骤。 26.如申请专利范围第22.23.或24项所述之方法,尚包 含随着时间周期性变化该电场强度的步骤。27.如 申请专利范围第22.23.或24项所述之方法,尚包含藉 由电极性与该涂覆材料之电极性相反的电压在该 半导体基板下方产生第二电场的步骤。28.如申请 专利范围第22.23.或24项所述之方法,其中由该电场 施加至该涂覆材料的力约等于该涂覆材料所受的 重力。图式简单说明: 第一图为半导体基板之旋涂设备的前视图。 第二图为习用之半导体基板的旋涂设备的概要图 。 第三图为另一习用之半导体基板的旋涂设备的概 要图。 第四图为再一习用之半导体基板的旋涂设备的概 要图。 第五图为依照本发明第一实施例之半导体基板的 旋涂设备的概要图。 第六图为第五图所示之旋涂设备的顶视平面图。 第七图为依照本发明之第二实施例的半导体基板 旋涂设备的概要图。 第八图为依照本发明之第三实施例的半导体基板 的旋涂设备的概要图。 第九图为依照本发明之第四实施例的半导体基板 的旋涂设备的概要图。 |
