| 主权项 |
1.一种使硷金属芳氧化物乾燥之方法,包括最后在 该硷金属芳氧化物熔融时,自该硷金属芳氧化物移 除水。2.一种制造芳族羟基羧酸之二硷金属盐之 方法,包括在搅动下及于或高于硷金属芳氧化物之 熔点之温度下,使该硷金属芳氧化物与二氧化碳接 触。3.一种制造芳族羟基羧酸之二硷金属盐之方 法,包括: (a)最后在该硷金属芳氧化物熔融时自硷金属芳氧 化物移除水;及 (b)在搅动下及于或高于该硷金属芳氧化物之熔点 之温度下,使该硷金属芳氧化物与二氧化碳接触。 4.一种使用芳族羟基化合物之金属盐与二氧化碳 之柯伯-史克密特(Kolbe-Schmitt)反应以制造芳族羟基 羧酸之改良方法,其中在反应期间制得糊浆,其中 改良处包括在内容物经搅动之反应器内,在0.8至2( 绝对)大气压之压力下进行与二氧化碳之反应,且 反应器内有充分之自由容积使气体可相当自由地 通过反应器并与所存在之固体及/或液体成分接触 ,但: 搅动需充分以使非气态反应物于该反应器中之平 均滞留时间少于2小时; 至少80莫耳%之该芳族羟基化合物之金属盐在该反 应器内与该二氧化碳反应;及 未反应之气体离开该反应器。5.根据申请专利范 围第4项之方法,其中该芳族羟基化合物之金属盐 为硷金属芳氧化物。6.根据申请专利范围第1,2,3或 5项之方法,其中该硷金属芳氧化物为苯氧化钾,苯 氧化钠,2-苯基苯氧化钾或2-氧化钾。7.根据申请 专利范围第1,2,3或5项之方法,其中该硷金属芳氧化 物为苯氧化钾。8.根据申请专利范围第1,2,3或5项 之方法,其中该硷金属芳氧化物之熔点低于320℃。 9.根据申请专利范围第1,2,3或5项之方法,其系在至 少275℃之温度进行。10.根据申请专利范围第1或3 项之方法,其中该硷金属芳氧化物变成固体且接着 在乾燥期间熔融。11.根据申请专利范围第1或3项 之方法,其中该硷金属芳氧化物在乾燥时维持熔融 。12.根据申请专利范围第5项之方法,其中于该反 应器内加入过量二氧化碳或惰性气体或两者。13. 根据申请专利范围第5项之方法,其系连续进行者 。14.根据申请专利范围第5项之方法,其系以批次 反应进行者。15.根据申请专利范围第5项之方法, 其中该二氧化碳系以对该固体于该反应器中移动 呈逆向之方式加入。16.根据申请专利范围第5项之 方法,其中至少95莫耳%之该芳族羟基酸之金属盐在 该反应器中与该二氧化碳反应。17.根据申请专利 范围第5项之方法,其中该总压为周围大气压力加 上或减去0.2巴(bar)。18.根据申请专利范围第5项之 方法,其中该硷金属为钠或钾。19.根据申请专利范 围第5项之方法,其中该硷金属为钾。20.根据申请 专利范围第5项之方法,其中在该方法期间移除芳 族羟基化合物。21.根据申请专利范围第5项之方法 ,其中该平均滞留时间少于1.0小时。图式简单说明 : 第一图为实例1及5-7中所用之装置概略图。 第二图为苯氧化钾-水系统之冷冻点图形,其亦显 示系统中各种水压下之溶液沸点。 |
