主权项 |
1.一种制造纯芳族羧酸之改良方法,其包括: (i)制造粗制芳族羧酸,其系于脂族羧酸溶剂中使该 芳族羧酸之先质进行液相氧化; (ii)回收该粗制芳族羧酸氧化产物,使该氧化产物 溶于水中; (iii)纯化所溶解之氧化产物,并自该水溶液回收结 晶形式之纯化产物; (iv)于由100℃至180℃之高温下乾燥所纯化之结晶; 及 (v)将所乾燥之结晶输送至用以储存之筒仓,其改良 处包括于该纯化结晶输送至该筒仓之前、之时或 之后将流体化状态之纯化酸结晶冷却至低于100℃ 之温度。2.根据申请专利范围第1项之改良方法,其 改良处为于具有经由冷却区段循环之冷却剂之冷 却区段内将该纯化酸结晶分散成流体化状态,使热 自该分散之纯化结晶输送至该冷却剂,并于冷却该 纯酸结晶之同时自该冷却区段取除。3.根据申请 专利范围第2项之改良方法,其改良处为该冷却区 段系为长型而垂直排列,该纯结晶自该乾燥器卸出 ,藉移动之惰气流分散成流体化状态,该流体化结 晶自入口连续移动通过该冷却区段而达出口,并卸 入筒仓中。4.一种冷却装置,其系使芳族羧酸之纯 结晶自由100℃至180℃范围内之原始温度冷却至由 50℃至100℃范围内之最终温度,其包括一个大体上 为长型而垂直排列之容器,该容器具有: (i)至少一个用以承接该纯结晶之入口; (ii)至少一个用以卸除该纯结晶之出口; (iii)至少一个位于该容器内部介于该入口及该出 口之间的冷却区段;及 (iv)用以移动惰性气流之装置,使该惰气以足以使 该纯酸结晶流体化之速度通过该容器,并使其自该 至少一个入口通过该至少一个冷却区段而到达该 至少一个用以自该容器卸出之出口。5.根据申请 专利范围第4项之装置,其中该容器之截面积系沿 其长度自入口区之第一个値增加至出口区之最终 値。6.根据申请专利范围第5项之装置,其中该长型 容器系为圆柱型,该圆柱之截面积系沿其长度根据 预定增量自入口区之第一个直径增加至出口区之 最终直径。7.根据申请专利范围第3项之改良方法, 其中该惰性气体系选自氮及空气,而该冷却剂系选 自溶剂、加工水或纯水。8.根据申请专利范围第5 或6项之装置,其另外包括至少一个筒仓,其具有与 该容器之出口连通而用以承接该冷却纯结晶之入 口。图式简单说明: 第一图系为本发明之一具体实例中用以冷却芳族 羧酸纯结晶之装置即容器之正视图。 第二图系为第一图所示之装置之取代性具体实例 的正视图。 第三图系为本发明用以分批式操作并冷却纯酸结 晶之装置的正视图。 第四图系为用于该储存筒仓下游之本发明装置的 正视图。 |