发明名称 研磨垫区之调节器及其制造方法
摘要 研磨垫区之调节器及其制造方法被揭露。调节器包括至少在其一侧有复数几何形状突出物形成的基板,以及大体上形成于具有几何形状突出物之该基板侧边之全部表面上且厚度均匀的钻石层。该等几何形状突出物具有平坦的上表面或包括由凹陷齿槽所形成之复数较小之几何形状突出物的上表面。该基板由陶瓷或渗碳处理的碳化物材料所制成,并且为圆盘状、多角盘状、杯状、分段状或有平坦之上下表面的甜甜圈状。该调节器更包括本体部分,其固定地附着在该基板上形成几何形状突出物之侧边的相反侧边以用来连结切割部分与调节设备的。由上述形状或结构所形成之该调节器的切割部分与研磨垫区表面做线接触与面接触。覆盖在该切割表面的钻石层可增强该切割表面之结构的整体性以增加切割性能,并且使其具有抗磨耗与抗腐蚀性质以延长该调节器的使用寿命。
申请公布号 TW467802 申请公布日期 2001.12.11
申请号 TW089104134 申请日期 2000.03.08
申请人 杭纳科技股份有限公司 发明人 明泛英;刘寿男
分类号 B24B7/24;B24B37/04;H01L21/304 主分类号 B24B7/24
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种研磨垫区之调节器,包括: 一基板,由陶瓷或烧结碳化物材料制成,且至少在 其一侧具有复数高度均匀之几何形状突出物形成; 以及 一钻石层,其厚度大体均匀,藉由化学气相沈积制 程覆盖在具有几何形状突出物之基板一侧的全部 表面上。2.如申请专利范围第1项所述之研磨垫区 之调节器,其中该等几何形状突出物为圆柱形。3. 如申请专利范围第1项所述之研磨垫区之调节器, 其中该等几何形状突出物为矩形。4.如申请专利 范围第3项所述之研磨垫区之调节器,其中该等几 何形状突出物之上表面有一对对角交叉之U型或V 型齿槽。5.如申请专利范围第3项所述之研磨垫区 之调节器,其中该等几何形状突出物之上表面有一 对交叉条状之U型或V型齿槽。6.如申请专利范围第 5项所述之研磨垫区之调节器,其中该等交叉条状 的齿槽彼此分隔地形成而在该等几何形状突出物 的上表面形成高度均匀之较小的几何形状突出物 。7.如申请专利范围第5项所述之研磨垫区之调节 器,其中该等交叉条状的齿槽彼此相邻地形成而在 该等几何形状突出物的上表面形成高度均匀之较 小的几何形状突出物。8.如申请专利范围第1项所 述之研磨垫区之调节器,其中形成于该基板表面的 该等几何形状突出物有由U型或V型剖面之交叉条 状沟渠所形成的交叉条状图案。9.如申请专利范 围第1项所述之研磨垫区之调节器,其中形成于该 基板表面的该等几何形状突出物有由交叉条状的 第一沟渠以及底部宽度较该等第一沟渠更宽之交 叉条状的第二沟渠所形成的交叉条状图案,此处该 第二沟渠以某数量的第一沟渠为间隔来形成,同时 该等第一与第二沟渠有U型或V型剖面。10.如申请 专利范围第1项所述之研磨垫区之调节器,其中至 少在其一侧有该等几何形状突出物形成之该基板 的形状为圆盘状或多角形盘状。11.如申请专利范 围第1项所述之研磨垫区之调节器,其中该基板的 形状为圆盘状或多角形盘状,并且在其一侧边有凹 陷的内部以及高于其内部的外环部分形成而使该 基板呈杯状剖面轮廓,其中该外环部分是圆形以外 的其他几何形状,而形成于该基板上的该几何形状 突出物是位于该外环部分的上表面。12.如申请专 利范围第1项所述之研磨垫区之调节器,其中至少 在其一侧有该等几何形状突出物形成的该基板为 有平坦上下表面的甜甜圈状。13.如申请专利范围 第1项所述之研磨垫区之调节器,其中该基板形状 为圆盘状或多角形盘状,并且在其一侧边有凹陷的 内部以及高于内部的外环部分形成而使该基板呈 杯状剖面轮廓,其中该外环部分有圆形以外的其他 几何形状,并且有复数被从该基板中心沿径向延伸 之凹处所分隔的分段部分,而形成于该基板上的该 几何形状出物位于该分段部分的上表面。14.如申 请专利范围第1项所述之研磨垫区之调节器,其中 该调节器更包括本体部分,其固定地附着在该基板 上形成几何形状突出物之侧边的相反侧边。15.如 申请专利范围第14项所述之研磨垫区之调节器,其 中该本体部分为具有平坦之上下表面的甜甜圈状 的剖面轮廓,或者是其开口表面之一被封闭之甜甜 圈状的剖面轮廓,并且有复数以某距离隔开而且呈 带状固定地附着在该本体部分之一表面的独立分 段部分。16.如申请专利范围第14项所述之研磨垫 区之调节器,其中该本体部分为至少由不锈钢、工 程塑胶与陶瓷之组成群中所选择的一种材料所制 成。17.一种研磨垫区之调节器,包括: 一基板,由陶瓷或烧结碳化物材料制成,且具有复 数高度均匀之几何形状突出物在其一侧形成,其中 该等几何形状突出物有由U型或V型剖面之交叉条 状沟渠所形成的交叉条状图案;以及 一钻石层,其厚度大体均匀,藉由化学气相沈积(CVD) 制程覆盖在具有几何形状突出物之基板一侧的全 部表面上, 其中该等几何形状突出物有由U型或V型剖面之交 叉条状沟渠所形成的交叉条状图案,且该等几何形 状突出物的该交叉条状图案包括第一沟渠以及深 度宽度皆较该第一沟渠更深更宽的第二沟渠,且其 中该第二沟渠规则地设置在某数量的该等第一沟 渠之间。18.一种研磨垫区之调节器,包括: 一基板,由陶瓷或烧结碳化物材料制成,且具有复 数高度大体均匀之几何形状突出物在其一侧形成; 以及 一钻石层,其厚度薄且均匀,藉由化学气相沈积(CVD) 制程而大体上覆盖在具有几何形状突出物之基板 一侧的全部表面上, 其中该等几何形状突出物有由U型或V型剖面之交 叉条状沟渠所形成的交叉条状图案,并且在其上表 面有由条状齿槽所形成之复数较小的几何形状突 出物;在该等几何形状突出物之上表面形成之该等 较小之几何形状突出物的面视图形状至少是选自 三角形、矩形与矩形角锥体之组成群的一种;且形 成于该等几何形状突出物上表面之该等齿槽具有 交叉条状图案或对角交叉图案。19.如申请专利范 围第18项所述之研磨垫区之调节器,其中该等几何 形状突出物形成在:(a)该圆盘状或多角形盘状基板 之至少一侧的表面;(b)高于该杯状基板内部的环状 部分的表面;(c)有平坦上下表面之基板之至少一侧 的表面;或(d)形成于该杯状基板之环状部分上之分 段部分的表面或是形成于该甜甜圈状基板一侧之 分段部分的表面。20.一种研磨垫区之调节器,包括 : 一本体部分,为甜甜圈状或杯状; 复数独立分段切割部分,以某距离隔开而且呈带状 固定地附着在该本体部分之一表面; 一基板,具有平坦表面,其上有分别的独立分段切 割部分形成,其中该基板是由陶瓷或烧结碳化物材 料所制成;以及 一钻石层,其厚度大体均匀,藉由化学气相沈积(CVD) 制程覆盖在具有该等独立分段切割部分之该基板 的全部表面上。21.一种研磨垫区之调节器的制造 方法,包括下列步骤: (a)在由陶瓷或烧结碳化物材料所制成之某形状的 基板上形成交叉条状的沟渠裨能在该基板的表面 上形成复数高度均匀之几何形状突出物;以及 (b)藉由化学气相沈积(CVD)制程在步骤(a)所加工过 之基板的全部表面上覆盖而形成厚度大体均匀的 钻石层。22.如申请专利范围第21项所述之研磨垫 区之调节器的制造方法,其中该等几何形状突出物 形成在:(a)该圆盘状或多角形盘状基板之至少一侧 的表面;(b)高于该杯状基板内部之环状部分的表面 ;(c)有平坦上下表面之基板之至少一侧的表面;或(d )形成于该杯状基板之环状部分上之分段部分的表 面或是形成于该甜甜圈状基板一侧之分段部分的 表面。23.如申请专利范围第21项所述之研磨垫区 之调节器的制造方法,其中该等几何形状突出物为 矩形并且以交叉条状的图案配置。24.如申请专利 范围第23项所述之研磨垫区之调节器的制造方法, 其中步骤(a)更包括藉由研磨或切割加工而在预定 交叉方向形成某数量之齿槽因而在该等几何形状 突出物上形成复数较小且高度均匀的几何形状突 出物的步骤。25.如申请专利范围第21项所述之研 磨垫区之调节器的制造方法,其中在该基板表面上 的该等沟渠以及在该等几何形状突出物表面上的 该等齿槽是利用诸如钻石轮的强力切割轮来做研 磨或切割加工而形成。26.如申请专利范围第25项 所述之研磨垫区之调节器的制造方法,其中该方法 更包括对该基板实施细研磨与抛光加工的步骤以 在该基板之至少一表面上获得均匀的表面并且在 实施步骤(a)之前获得大体上平行的基板表面的步 骤。27.如申请专利范围第21项所述之研磨垫区之 调节器的制造方法,其中步骤(a)是藉由在铸造加工 中注入预定之铸造成分并在具有几何形状突出物 之基板的铸模中冷却来达成。28.如申请专利范围 第21项所述之研磨垫区之调节器的制造方法,其中 该方法更包括将本体部分附着在基板之具有几何 形状突出物之侧边的相反侧边上的步骤以用来连 结调节器与调节装置的步骤。图式简单说明: 第一图A、第一图B与第一图C表示传统的研磨垫区 之调节器,其中第一图A是平面视图,第一图B是第一 图A之线A-A'处的剖面视图,第一图C是传统调节器之 局部放大的剖面视图; 第二图A、第二图B、第二图C与第二图D表示由本发 明第一较佳实施例所述之盘状基板所制成的研磨 垫区之调节器,其中第二图A是平面视图,第二图B是 第二图A之线B-B'处的剖面视图,第二图C与第二图D 是调节器之本体与切割部分的放大平面视图与剖 面视图; 第二图E表示由本发明另一较佳实施例所述之盘状 基板所制成的调节器; 第二图F表示由本发明另一较佳实施例所述之盘状 基板所制成的调节器之本体与切割部分的放大平 面视图; 第三图A与第三图B表示由本发明所述之甜甜圈状 基板所制成的调节器,其中第三图A是平面视图,第 三图B是第三图A之线C-C'处的剖面视图; 第四图A与第四图B表示由本发明又另一实施例所 述之甜甜圈状基板所制成的调节器,该基板有复数 由其表面上凹处所分隔的分段部分,其中第四图A 是平面视图,第四图B是第四图A之线D-D'处的剖面视 图; 第五图A与第五图B表示藉由将本体部分附着至本 发明又另一实施例所述之甜甜圈状基板所制成的 杯状调节器,其中第五图A是平面视图,第五图B是第 五图A之线E-E'处的剖面视图; 第六图A与第六图B表示藉由在如本发明又另一实 施例所述之甜甜圈状基板表面上形成带状的分段 切割部分而制成的调节器,其中第六图A是平面视 图,第六图B是第六图A之线F-F'处的剖面视图; 第七图A与第七图B是第七图E中所说明之调节器的 放大立体视图与剖面视图,表示有复数均匀分布之 矩形几何形状突出物之切割部分的表面结构; 第八图A与第八图B是第二图A中所说明之调节器的 放大立体视图与剖面视图,表示有区域性群集之矩 形几何形状突出物之切割部分的表面结构; 第九图A图与第九图B是如本发明所述之调节器的 放大立体视图与剖面视图,表示有区域性群集之圆 柱形几何形状突出物之切割部分的表面结构; 第十图A与第十图B是如本发明所述之调节器之矩 形几何形状突出物的放大立体视图与剖面视图,表 示有复数较小的矩形几何形状突出物形成之几何 形状突出物的表面结构; 第十一图A与第十一图B是如本发明所述之调节器 之矩形几何形状突出物的放大立体视图与剖面视 图,表示有复数较小之矩形角锥体状的几何形状突 出物形成之几何形状突出物的表面结构; 第十二图A图与第十二图B是如本发明所述之调节 器之矩形几何形状突出物的放大立体视图与剖面 视图,表示有复数由一对对角相交齿槽所形成较小 之三角形几何形状突出物之几何形状突出物的表 面结构; 第十三图A、第十三图B、第十三图C与第十三图D是 剖面视图,用来说明本发明所述之调节器之切割部 分的制造方法; 第十四图是说明连结在研磨设备上用来制造基板 之钻石轮的视图; 第十五图是真实的照片,表示由本发明所述之方法 所制造之调节器的切割部分; 第十六图A与第十六图B是电子显微镜照片,表示在 由本发明所述之方法所制造的调节器之切割部分 上所形成之矩形几何形状突出物的侧视图与上视 图;以及 第十六图C是电子显微镜照片,表示矩形几何形状 突出物的侧视图,在该矩形几何形状突出物上的部 分被切开以显示出形成在本发明所述之方法所制 造之基板上的钻石层。
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